一种扇形交替式硅像素探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A和p+型像素单元B组成，所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A和p+型像素单元B等间隔交替设置形成一个p+型像素环，共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A和p+型像素单元B的总数相等，制备工艺简单、成品率高、成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种扇形交替式硅像素探测器
本专利技术属于辐射探测
，涉及一种扇形交替式硅像素探测器。
技术介绍
半导体探测器具有以下优点：(1)很高的能量分辨率，比气体探测器大约高一个数量级，比闪烁计数器高更多。因为在半导体中电离产生一对电子－空穴对只需要3eV左右的能量，能量相同的带电粒子在半导体中产生的电子－空穴对数比在气体中产生的离子对数高一个数量级以上；(2)很宽的能量响应线性范围，半导体的平均电离功与入射粒子的能量和种类以及探测器的类型无关；(3)ns量级的响应时间；(4)体积小；(5)很好的位置分辨率，高于1.4μm，因而广泛应用于高能物理等领域。新型的半导体探测器的飞速发展和应用促进了高能物理的发展，其中硅微条探测器、像素探测器和CCD的发展是半导体探测器新发展的突出代表。近十几年来，世界各大高能物理实验室几乎都采用SMD(SurfaceMountedDevices，表面贴装器件)作为顶点探测器，而且还推动了天体物理、宇宙线物理、核医学数字影像技术等领域的发展。在核医学领域的CT和其它数字化图像方面的应用研究，也有了很多新的进展。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇形交替式硅像素探测器，其特征在于，包括n型硅基底(5)，n型硅基底(5)为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面(11)，其上表面设置有P+收集面；/n所述P+收集面由p+型中心像素单元(14)和等间隔设置在p+型中心像素单元(14)径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元(14)位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A(9)和p+型像素单元B(10)组成，且所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A(9)和p+型像素单元B(10)等间隔交替设置形成一个p+型像素环，所有扇形区域共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个...

【技术特征摘要】
1.一种扇形交替式硅像素探测器，其特征在于，包括n型硅基底(5)，n型硅基底(5)为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面(11)，其上表面设置有P+收集面；
所述P+收集面由p+型中心像素单元(14)和等间隔设置在p+型中心像素单元(14)径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元(14)位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A(9)和p+型像素单元B(10)组成，且所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A(9)和p+型像素单元B(10)等间隔交替设置形成一个p+型像素环，所有扇形区域共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A(9)和p+型像素单元B(10)的总数相等。


2.根据权利要求1所述的一种扇形交替式硅像素探测器，其特征在于，所述多个扇形区域对应的圆心角均相同。


3.根据权利要求1或2所述的一种扇形交替式硅像素探测器，其特征在于，每个所述扇形区域的p+型像素单元A(9)和p+型像素单元B(10)等间隔交替设置；相邻两所述p+型像素环的间距等于相邻的p+型像素单元A(9)和p+型像素单元B(10)的间距。


4.根据权利要求3所述的一种扇形交替式硅像素探测器，其特征在于，每个所述扇形区域中等间隔交替设置的p+型像素单元A(9)和p+型像素单元B(10)均为扇形结构，且从内向外，等间隔交替设置的p+型像素单元A(9)和p+型像素单元B(10)的面积逐渐增大。


5.根据权利要求3所述的一种扇形交替式硅像素探测器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正，熊波，
申请(专利权)人：湖南正芯微电子探测器有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43