一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列制造技术

本发明专利技术公开了一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列，包括N型高阻硅衬底，N型高阻硅衬底的顶面上生成有SiO

【技术实现步骤摘要】
一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列
本专利技术属于辐射探测
，涉及一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列。
技术介绍
硅像素探测器(SiliconPixelDetector)是为原子物理、核物理和基本粒子物理而开发。现在，硅像素探测器已广泛用于深太空探测，医学成像，高能物理中的粒子轨迹探测，食品安全检测以及用于国家安全的辐射源探测等领域。硅像素探测器是一个以硅为探测材料的粒子径迹探测器，用于探测轨迹及确定高能粒子能量的器件。这些高能粒子包括产生于核衰退，宇宙线辐射，产生于加速器相互作用中的粒子。为了探测辐射，探测器必须与物质相互作用，而且要记录此相互作用。硅像素探测器就是通过像素单元有序阵列而成，每个像素探测器的单元都由起传感作用的灵敏区和外端电子读出部分构成，当有小电离粒子入射灵敏区时会产生电子-空穴对，在外电场作用下向两极漂移，然后通过外端的集成电路对电流信号进行处理，获得入射粒子的能量、位置等信息。以其响应速度快、灵敏度高、易于集成等优异的性能，在X光检测与高能粒子探测等领域有广泛的应用。随着科学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器，其特征在于，包括N型高阻硅衬底(12)，N型高阻硅衬底(12)的顶面上生成有SiO

【技术特征摘要】
1.一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器，其特征在于，包括N型高阻硅衬底(12)，N型高阻硅衬底(12)的顶面上生成有SiO2氧化层(15)，SiO2氧化层(15)上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构(8)，P+重掺杂阴极螺旋环结构(8)为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构(8)的中心位置设置有与其连接的收集阴极(10)，N型高阻硅衬底(12)的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层(13)。


2.根据权利要求1所述的一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器，其特征在于，所述收集阴极(10)通过在N型高阻硅衬底(12)顶面的SiO2氧化层(15)的中心位置内刻蚀、离子注入形成P+重掺杂离子注入层，并在P+重掺杂离子注入层上方全刻蚀形成全刻蚀区域(11)后镀膜形成阴极螺旋环中心镀铝层(7)而成；
所述P+重掺杂离子注入层与P+重掺杂阴极螺旋环结构(8)的起始端连接，所述阴极螺旋环中心镀铝层(7)底部与P+重掺杂离子注入层接触。


3.根据权利要求1所述的一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器，其特征在于，所述收集阴极(10)为方形结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正，程敏，
申请(专利权)人：湖南正芯微电子探测器有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43