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本发明公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心...
该专利属于湖南正芯微电子探测器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南正芯微电子探测器有限公司授权不得商用。

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