【技术实现步骤摘要】
一种显示基板、其制作方法及显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示基板、其制作方法及显示装置。
技术介绍
微发光二极管(MicroLED)的像素单元在100微米(P0.1)以下,并被高密度地集成在一个芯片上。由于像素单元低至微米量级,MicroLED显示产品具有多项性能指标优势,其具有更高的发光亮度、分辨率与色彩饱和度,以及更快的显示响应速度,例如,其功率消耗量仅为LCD的10%、OLED的50%,亮度可达OLED的10倍,分辨率可达OLED的5倍。MicroLED应用商机无限,除了可取代LCD、OLED作为面板显示器,其省电特质,适合AR/VR头盔及智慧表等穿戴式装置荧幕外,也适合做户外显示看板、HUD等所用,另外,车尾灯、无线光通讯Li-Fi、投影机等同样是可期的运用领域。MicroLED主要通过将传统LED晶体薄膜用微缩制程技术进行微缩化、阵列化、薄膜化,然后通过转移技术将晶体薄膜批量转移到电路板上。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供一种显示基板、其制作方法及显示装置,用以提高微发光二极管 ...
【技术保护点】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板之上相互绝缘的多个微发光二极管;/n所述微发光二极管包括:第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一电极的发光结构、以及第二电极;其中,/n所述发光结构包括:依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层;/n所述第二电极位于各所述发光结构的间隙处,且与所述第二半导体层接触连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板之上相互绝缘的多个微发光二极管;
所述微发光二极管包括:第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一电极的发光结构、以及第二电极;其中,
所述发光结构包括:依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层;
所述第二电极位于各所述发光结构的间隙处,且与所述第二半导体层接触连接。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:位于第二电极面向所述衬底基板一侧的绝缘层;
所述绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极的正投影相互交叠,且所述绝缘层至少包围所述第一电极、所述第一半导体层和所述有源层。
3.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘层包括:环绕各所述发光结构的凹槽;
所述凹槽的底部与所述衬底基板之间的距离小于或等于所述第一电极面向所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间的距离;
所述第二电极填充于所述凹槽。
4.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘层包括:与所述发光结构接触的第一绝缘层,以及位于所述第一绝缘层远离所述发光结构一侧的第二绝缘层;其中,
所述第一绝缘层至少包围所述第一半导体层和所述有源层;
所述第二绝缘层包围所述第一电极、以及部分所述第一绝缘层。
5.如权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第一绝缘层还包围:靠近所述有源层的部分所述第二半导体层。
6.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二电极背离所述衬底基板的表面具有微结构。
7.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:田婷,安娜,杨瑞锋,韩永杰,高宗丽,朱建国,石爽,罗佳铭,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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