一种TVS抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块制造技术

一种TVS抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块，包括：以SOP23‑5形式封装于一个塑基的四个二极管芯片、一个续流管芯片及一个TVS芯片，四个二极管芯片构成整流桥，整流桥的输入端连接塑基的PIN4引脚和PIN5引脚，输出端连接塑基的PIN3引脚和PIN2引脚，用于对输入端输入的交流电进行桥式整流以形成直流电并通过输出端输出；续流管芯片一端连接整流桥输出端的直流正极端，另一端连接塑基的PIN1引脚，通过续流方式消耗高电动势以对各元件进行保护；TVS芯片并联于整流桥的输入端，用于吸收电路波动或电路开、关瞬间产生的浪涌脉冲。仅通过一个集成封装芯片实现续流保护、浪涌抑制保护，极大缩小体积，提高生产效率，节约成本，产品更加集成稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种TVS抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块
本专利技术涉及半导体元器件领域，特别与一种TVS抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块相关。
技术介绍
目前生产LED球泡灯和灯带驱动采用的是通过整流桥为整个电路板提供直流电源，这种电路经济、简单、可靠性高被众多生产厂家采用。在实际应用过程中，用户电路的波动和电路的开、关瞬间浪涌脉冲会损坏其他元器件，为解决上述问题，现有技术会在整流模块之外再增加一个或两个保护模块，这种再单独增加模块的方式，极大地占据空间，且成本高，尤其不利于灯泡或灯具生产厂商对整个灯的电路板/电路结构部分进行体积控制，不利于电子产品向微型化发展。而目前，还没有针对这方面的既具备小型化特点，又具备高度集成或多芯片集成的模块出现，针对此，提出本申请。
技术实现思路
针对相关现有技术存在的问题，本专利技术提供一种TVS抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块，将整流桥、续流管及TVS芯片集成到一个封装塑基内，实现同时具有续流保护、浪涌抑制保护的整流模块，并且极大的缩小体积，利于提高生产效率，节约生产成本，实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TVS抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块，其特征在于，包括：以SOP23-5形式封装于一个塑基的四个二极管芯片（01）~（04）、一个续流管芯片（05）及一个TVS芯片（06），其中：/n四个二极管芯片（01）~（04）构成桥式整流电路，桥式整流电路的输入端连接塑基的PIN4引脚和PIN5引脚，输出端连接塑基的PIN3引脚和PIN2引脚，用于对输入端输入的交流电进行桥式整流以形成直流电并通过输出端输出；/n续流管芯片（05）一端连接桥式整流电路输出端的直流正极端，另一端连接塑基的PIN1引脚，用于在输出端的直流正极端和PIN1引脚并联于负载电路中产生感应电动势的元件两端时，通过续流...

【技术特征摘要】
1.一种TVS抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块，其特征在于，包括：以SOP23-5形式封装于一个塑基的四个二极管芯片（01）~（04）、一个续流管芯片（05）及一个TVS芯片（06），其中：
四个二极管芯片（01）~（04）构成桥式整流电路，桥式整流电路的输入端连接塑基的PIN4引脚和PIN5引脚，输出端连接塑基的PIN3引脚和PIN2引脚，用于对输入端输入的交流电进行桥式整流以形成直流电并通过输出端输出；
续流管芯片（05）一端连接桥式整流电路输出端的直流正极端，另一端连接塑基的PIN1引脚，用于在输出端的直流正极端和PIN1引脚并联于负载电路中产生感应电动势的元件两端时，通过续流方式消耗高电动势以对各元件进行保护；
TVS芯片（06）并联于桥式整流电路的输入端，分别连接塑基的PIN4引脚和PIN5引脚，用于吸收电路波动或电路开、关瞬间产生的浪涌脉冲。


2.根据权利要求1所述的TVS抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块，其特征在于：
PIN5引脚为第一交流输入脚（20），PIN4引脚为第二交流输入脚（30），第一交流输入脚（20）和第二交流输入脚（30）作为桥式整流电路的输入端，用于连接交流电；TVS芯片（06）并联于第一交流输入脚（20）和第二交流输入脚（30）之间；
PIN3引脚为直流负极输出脚（60），PIN2引脚为直流正极输出脚（50），直流负极输出脚（60）和直流正极输出脚（50）作为桥式整流电路的输出端，用于以直流正极输出脚（50）作为直流正极、以直流负极输出脚（60）作为直流负极输出直流电；
PIN1引脚为功能输出脚（40），直流正极输出脚（50）和功能输出脚（40）在应用时，用于并联于负载电路中产生感应电动势的元件两端，使续流管芯片（05）消耗高电动势以对各元件进行保护。


3.根据权利要求2所述的TVS抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块，其特征在于：
第一交流输入脚（20）连接第一基岛（21），第一基岛（21）连接有第二基岛（22）；
第二交流输入脚（30）连接第三基岛（31），第三基岛（31）连接有第四基岛（32）；
直流负极输出脚（60）连接第五基岛（61），第五基岛（61）连接有第六基岛（62）；
直流正极输出脚（50）连接第七基岛（51），第七基岛（51）连接有第八基岛（52），第八基岛（52）连接有第九基岛（53）；
功能输出脚（40）连接第十基岛（41）。


4.根据权利要求3所述的TVS抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块，其特征在于，
第I二极管芯片（01）连接于第一基岛（21）和第九基岛（53）之间；
第II二极管芯片（02）连接于第二基岛（22）和第六基岛（62）之间；
第III二极管芯片（03）连接于第三基岛（31）和第五基岛（61）之间；
第IV二极管芯片（04）连接于第四基岛（32）和第七基岛（51）之间；
续流管芯片（05）连接于第八基岛（52）和第十基岛（41）之间；
TVS芯片（06）连接于第二基岛（22）和第三基岛（31）之间。


5.根据权利要求4所述的TVS抑制保护及续流保护型整流桥集成封装模块，其特征在于，
第一基岛（21）、第二基岛（22）、第三基岛（31）、第四基岛（32）为上层框架；
第七基岛（51）、第八基岛（52）、第九基岛（53）、第五基岛（61）、第六基岛（62）、第十基岛（41）为下层框架；
上层框架与下层框架之间具有预设间距，用于容纳四个二极管芯片（01）~（04）、续流管芯片（05）；
TVS芯片（06）位于上层框架上方。


6.根据权利要求5所述的TVS抑制保护及续流保护型整流...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖高辉，曾尚文，
申请(专利权)人：四川晶辉半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51