一种半导体器件缺陷的检测方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件缺陷的检测方法。所述方法包括：提供待检测晶圆并对所述待检测晶圆进行缺陷扫描，以获得晶圆中每个芯片的缺陷分布信息；获取SEM检测机台相对于晶圆不同位置的偏移参数，用于校准SEM检测机台的精度；基于所述位置偏移参数对SEM检测机台的位置进行校准，执行直接移动晶圆步骤，以使所述芯片中出现缺陷的位置位于SEM检测机台的视窗的中心区域。通过所述方法可以获得较大的放大倍数，获得更加准确的缺陷图像和缺陷信息。

A defect detection method for semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件缺陷的检测方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件缺陷的检测方法。
技术介绍
随着工艺的提高，许多导致芯片失效的问题都是非常小的缺陷(defect)引起的，所述缺陷通常需要使用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束(FocusedIonbeam，FIB)或透射电子显微镜(Transmissionelectronmicroscope，TEM)等辅助工具进行扫描成像，从而找到发生缺陷的位置，以进行改进。SEM的工作原理是利用电子束扫描样品表面从而获得样品信息，诸如样品的表面结构，样品的物理和化学性质等等。近年来，SEM在各种领域中具有广泛的应用。例如，在半导体制造工艺中，SEM可以用来检查晶圆缺陷，测量关键尺寸等。使用SEM进行超小缺陷检查(UltraTinyDefects)时，通常使用SEM来检测扫描工具检测缺陷图像时发出警报的位置，以帮助核查线上问题和潜在的风险，但是随着器件尺寸的不断缩小，要获得高质量(尤其是高倍放大)的超微小缺陷图像，越来越具有挑战性。因此，如何高效、快速的实现对缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件缺陷的检测方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供待检测晶圆并对所述待检测晶圆进行缺陷扫描，以获得晶圆中每个芯片的缺陷分布信息；/n获取SEM检测机台相对于晶圆不同位置的偏移参数；/n基于所述位置偏移参数对SEM检测机台的位置进行校准，执行直接移动晶圆步骤，以使所述芯片中出现缺陷的位置位于SEM检测机台的视窗的中心区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件缺陷的检测方法，其特征在于，所述方法包括：
提供待检测晶圆并对所述待检测晶圆进行缺陷扫描，以获得晶圆中每个芯片的缺陷分布信息；
获取SEM检测机台相对于晶圆不同位置的偏移参数；
基于所述位置偏移参数对SEM检测机台的位置进行校准，执行直接移动晶圆步骤，以使所述芯片中出现缺陷的位置位于SEM检测机台的视窗的中心区域。


2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在进行所述校准之前，所述方法还包括：
检验所述位置偏移参数是否在控制限度范围之内，若在控制限度范围之内，则根据获取的位置偏移信息，在执行直接移动晶圆步骤时加以修正，将芯片中出现缺陷的位置置于SEM检测机台视窗的中心区域。


3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，若所述位置偏移参数超出控制限度范围，则根据获取的位置偏移信息，在执行直接移动晶圆步骤时加以修正，将芯片中出现缺陷的位置置于SEM检测机台视窗的中心区域。


4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述视窗的中心区域为所述视窗的正中间。


5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，通过扫描机台对所述待检测晶圆进行缺陷扫描...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧云，杨瑞海，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31