温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种半导体器件缺陷的检测方法。所述方法包括：提供待检测晶圆并对所述待检测晶圆进行缺陷扫描，以获得晶圆中每个芯片的缺陷分布信息；获取SEM检测机台相对于晶圆不同位置的偏移参数，用于校准SEM检测机台的精度；基于所述位置偏移参数对SE...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。