半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，将氢钝化工艺的反应温度及反应时间分别限定在第一设定范围及第二设定范围，并且，所述氢钝化工艺的反应温度及反应时间负相关，也就是说，在第一设定范围及第二设定范围内，提高反应温度就需减少反应时间，降低反应温度就需增加反应时间，可提高器件的界面态缺陷的修复效果，进而提高器件的性能。

Preparation of semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制备方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
随着微电子技术的飞速发展，诸如金属氧化物场效应管等半导体器件的尺寸也不断缩小，导致器件中的薄膜(例如栅氧化层)变得越来越薄，为了确保器件的良好特性，对栅氧化层质量的要求也会更高。在制备半导体器件的过程中，氧化层生长工艺、离子注入、等离子体沉积等工艺均会不可避免在薄膜内部引入界面态(界面陷阱)缺陷，同时，由于晶格失配和生长工艺的不完善，不同薄膜之间也不可避免的引入界面态缺陷。金属氧化物场效应管中的栅氧化层的界面态的能量状态分布于禁带内，可以带有电荷，是少数载流子的产生中心和复合中心，可较快地同衬底中的硅的导带或价带交换电子和空穴，从而直接影响金属氧化物场效应管的阈值电压、降低表面载流子有效迁移率和跨导，若界面态密度过大，还可以显著改变某一电荷区的厚度与势垒髙度，进而影响P-N结的电流输运，进而导致器件的成品率和可靠性下降。现有技术中，通常会在金属化工艺之后增加氢钝化工艺(亦称氢退火工艺)，以修复修复界面态缺陷，并且现有技术普遍认为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成顶层金属互联层之后，执行氢钝化工艺，所述氢钝化工艺的反应温度及反应时间分别介于第一设定范围及第二设定范围，并且，所述氢钝化工艺的反应温度及反应时间负相关。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成顶层金属互联层之后，执行氢钝化工艺，所述氢钝化工艺的反应温度及反应时间分别介于第一设定范围及第二设定范围，并且，所述氢钝化工艺的反应温度及反应时间负相关。


2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氢钝化工艺的反应气体包括氢气，氢气的浓度范围为4.15×10-3mol/L～1.41×10-2mol/L。


3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一设定范围为390℃～440℃，所述第二设定范围为600s～3000s。


4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一设定范围为410℃～440℃，所述第二设定范围为600s～2000s。


5.如权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，当所...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩瑞津，曾辉，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44