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本发明提供了一种半导体器件的制备方法，将氢钝化工艺的反应温度及反应时间分别限定在第一设定范围及第二设定范围，并且，所述氢钝化工艺的反应温度及反应时间负相关，也就是说，在第一设定范围及第二设定范围内，提高反应温度就需减少反应时间，降低反应温度...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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