【技术实现步骤摘要】
本技术属传感装置领域，具体为一种薄膜电容式湿敏装置。目前经中国专利局CD光盘查新、检索发现有这方面的装置，如专利号91223530.6名称“耐高湿分子湿敏元件”，其不足之处在于不能做得很小，一般为4×6mm左右，电容采用两极板串联式，现有电容元件的有效面积只是实际面积的1/4，而基础电容量却不大，从而成本高。本技术的目的在于提供一种结构简单、成本低廉，在相同硅片上制作元件量大的薄膜电容式湿敏装置。本技术的目的是这样实现的芯片粘接在管座上，光刻下电极在上电极引出中，上电极引出为 形，绝缘层上面是光刻下电极和上电极引出，下面是硅基片。感湿膜上面是光刻上电极，下面是光刻下电极和上电极引出，芯片是由硅基片、绝缘层、光刻下电极、上电极引出、感湿膜、光刻上电极组成，内引线与上电极引出和下电极连接。本技术的优点在于结构简单、成本低廉，可大规模批量生产，基础电容量大，体积小，安装使用方便。附图说明图1为本技术结构原理主视示意图；图2为本技术结构原理主视图的A-A剖面示意图；图3为本技术结构原理分解示意图；图3(a)为本技术结构原理光刻上电极示意图；图3(b)为本技术结构原理感湿膜示意图；图3(c)为本技术结构原理光刻下电极、上电极引出示意图；图3(d)为本技术结构原理硅基片、绝缘层示意图；图4为本技术结构原理安装示意图；图4(e)为本技术结构原理管帽示意图；图4(f)为本技术结构原理管座示意图。以下结合附图详述本技术最佳实施例芯片(11)粘接在管座(8)上，光刻下电极(3)在上电极引出(4)中，上电极引出(4)为 形，绝缘层(2)上面是光刻下电极(3)和上电极引出(...
【技术保护点】
一种薄膜电容式湿敏装置，它是由硅基片（１）、绝缘层（２）、光刻下电极（３）、上电极引出（４）、感湿膜（５）、光刻上电极（６）、内引线（７）、管座（８）、管帽（９）、外引线（１０）、芯片（１１）组成，其特征是：芯片（１１）粘接在管座（８）上，光刻下电极（３）在上电极引出（４）中，上电极引出（４）为“７”形，绝缘层（２）上面是光刻下电极（３）和上电极引出（４），下面是硅基片（１），感湿膜（５）上面是光刻上电极（６），下面是光刻下电极（３）和上电极引出（４），芯片（１１）是由硅基片（１）、绝缘层（２）、光刻下电极（３）、上电极引出（４）、感湿膜（５）、光刻上电极（６）组成，内引线（７）与上电极引出（４）和下电极（３）连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙晴，张树琨，赵国强，
申请(专利权)人：电子工业部第四十九研究所，
类型：实用新型
国别省市：93[中国|哈尔滨]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。