平面电容的制作方法及制作装置制造方法及图纸

技术编号:25993113 阅读:69 留言:0更新日期:2020-10-20 19:02
本发明专利技术公开了一种平面电容的制作方法,所述制作方法包括:制作用于形成介质层的介质层浆料;将介质层浆料涂布在第一金属箔层的表面上,对介质层浆料进行干燥处理,使第一金属箔层的表面上形成半固化状态或低于半固化状态的介质层;将附着有介质层的第一金属箔层与第二金属箔层进行覆合,第一金属箔层附着有介质层的表面朝向第二金属箔层并进行覆合,得到平面电容;介质层的组成成分包括环氧树脂。该方法制备的平面电容剥离力高,且介质层与两面金属箔层的剥离力基本一致且稳定,具有优良的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
平面电容的制作方法及制作装置
本专利技术涉及平面电容加工的
,特别是涉及一种平面电容的制作方法及制作装置。
技术介绍
随着微电子科学技术不断革新,各类型电子器件高速化、微型化的趋势不断加强,薄膜电容的介质层的厚度也要求越来越薄,但剥离力不能因介质层厚度的减薄而降低。在电子产品的生产过程中,由于电子元件的生产和組裝,由多个阶段构成,因此在此过程中,元件很可能会受到污染顆粒的沾污,导致电子元件出现品质问题,如腐蚀锈蚀、失效、短路等。所以很多生产线会对元件采用清洗的工艺过程。有时,在生产线上的清洗过程之后,我们会发现薄膜电容器的顶层有一些剥落现象,如图1所示。当薄膜电容器在上板焊接过程之后进行清洗,或受到过度的机械应力或冲洗时,就可能会发生这种剥落现象。因此,介质层高剥离力平面电容的制备工艺成为目前研究热点。目前平面电容的制备工艺是在铜箔基材上涂上一层介质层,经过干燥箱后与第二面进行覆合,制备成平面电容。此种工艺方法可以制备基本满足要求的剥离力的平面电容,但由于介质层其组成成分的问题,此种工艺方法制备的平面电容,其剥离力强度不高及且剥离力稳定均匀性欠缺,从而影响平面电容的整体的可靠性。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本专利技术的目的在于提供一种平面电容的制作方法及制作装置,以解决现有技术中平面电容剥离力强度较小且剥离力不稳定以及不均匀的问题。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:本专利技术提供一种平面电容的制作方法,所述平面电容包括第一金属箔层、第二金属箔层以及设于所述第一金属箔层和所述第二金属箔层之间的介质层,所述制作方法包括:制作用于形成所述介质层的介质层浆料;将所述介质层浆料涂布在所述第一金属箔层的表面上,对所述介质层浆料进行干燥处理,使所述第一金属箔层的表面上形成半固化状态或低于半固化状态的所述介质层;将附着有所述介质层的所述第一金属箔层与所述第二金属箔层进行覆合,所述第一金属箔层附着有所述介质层的表面朝向所述第二金属箔层并进行覆合,得到所述平面电容;所述介质层的组成成分包括环氧树脂,所述环氧树脂为缩水甘油醚型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、脂环族环氧树脂、环氧化烯烃化合物、甘蔗多元醇环氧树脂和混合结构环氧树脂中的至少一种。进一步地,所述介质层的组成成分还包括无机填料、助剂和溶剂中的至少一种;所述助剂为固化剂、分散剂、偶联剂、流平剂、消泡剂、促进剂中的至少一种;所述无机填料为钛酸钡钠、钛酸钡、钛酸铜钙、钛酸锶、钛酸锶钡、钛酸钙、钛酸钙钡、锆钛酸铅、钛酸铅钠、钛酸铅中的至少一种;所述溶剂包括丙酮、戊酮、酒精、丁酮中的至少一种。进一步地,制作所述介质层浆料的方法包括:将所述环氧树脂加入到第一溶剂中,在温度20~40℃下搅拌15min~35min,得到所述介质层浆料的混合液;将所述无机填料搅拌分散于第二溶剂中,得到所述介质层浆料的悬浮液,将所述悬浮液搅拌分散于所述混合液中;再加入助剂并搅拌混合均匀,得到所述介质层浆料的混合物,将所述混合物倒入球磨罐中以100rpm~200rpm的转速球磨5h~15h,得到所述介质层浆料。进一步地,所述环氧树脂的质量与所述第一溶剂的质量比为1:3~1:6。所述无机填料与所述第二溶剂的质量比为1:2~1:5。进一步地,对所述介质层浆料进行干燥处理的方法包括:对所述介质层浆料在预设的干燥温度下进行加热干燥并保温预设时间,所述干燥温度为所述介质层浆料固化温度的35%~60%,所述预设时间为2~6min。进一步地,先在第一干燥温度下保温第一预设时间;再在第二干燥温度下保温第二预设时间;最后再于第三干燥温度下保温第三预设时间,得到半固化状态或低于半固化状态的介质层,其中,所述介质层固化温度的35%≤第一干燥温度=第三干燥温度<第二干燥温度≤所述介质层固化温度的60%。进一步地,所述第一预设时间为0.7~2min;所述第二预设时间为0.7~1.5min;所述第三预设时间为2.5~3.6min。进一步地,将附着有所述介质层的所述第一金属箔层与所述第二金属箔层进行覆合的方法包括:在预设温度和预设压力下使附着有所述介质层的所述第一金属箔层与所述第二金属箔层进行压合,得到所述平面电容;所述预设温度为100~150℃,所述预设压力为3~6kg/cm2。进一步地,所述第一金属箔层或所述第二金属箔层的厚度为9~50μm,所述介质层的厚度为1~20μm。本专利技术还提供一种平面电容的制作装置,所述制作装置应用于如上所述的制作方法,所述制作装置包括覆合单元、干燥箱、第一传输辊以及第二传输辊,所述覆合单元包括上覆合钢辊、胶辊和下覆合钢辊,所述上覆合钢辊和所述胶辊贴合设置,所述下覆合钢辊和所述胶辊贴合设置,所述干燥箱用于给所述第一金属箔层上的所述介质层进行加热干燥,表面涂覆有所述介质层的所述第一金属箔层由所述第一传输辊传输并经过所述干燥箱进行干燥,所述第二金属箔层由所述第二传输辊进行传输。本专利技术有益效果在于:平面电容的制作方法包括:制作用于形成介质层的介质层浆料;将介质层浆料涂布在第一金属箔层的表面上,对介质层浆料进行干燥处理,使第一金属箔层的表面上形成半固化状态或低于半固化状态的介质层;将附着有介质层的第一金属箔层与第二金属箔层进行覆合,第一金属箔层附着有介质层的表面朝向第二金属箔层并进行覆合,得到平面电容;介质层的组成成分包括环氧树脂,环氧树脂为缩水甘油醚型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、脂环族环氧树脂、环氧化烯烃化合物、甘蔗多元醇环氧树脂和混合结构环氧树脂中的至少一种。该方法制备的平面电容剥离力高,且介质层与两面金属箔层的剥离力基本一致且稳定,具有优良的可靠性。附图说明图1是现有技术薄膜电容器的顶层脱落示意图;图2是本专利技术中制作平面电容的工艺流程示意图;图3是本专利技术中平面电容的结构示意图;图4是本专利技术中平面电容制作的流程框图。图中:平面电容10、第一金属箔层11、第二金属箔层12、介质层13、覆合单元20、上覆合钢辊21、胶辊22、下覆合钢辊23、干燥箱30、第一干燥室31、第二干燥室32、第三干燥室33、第一传输辊41、第二传输辊42。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本专利技术提出的平面电容的制作方法及制作装置的具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如下:[实施例一]如图2所示,本专利技术实施例一提供一种平面电容的制作装置,包括覆合单元20、干燥箱30、第一传输辊41以及第二传输辊42,覆合单元20包括上覆合钢辊21、胶辊22和下覆合钢辊23。所述上覆合钢辊21和胶辊22贴合设置。所述下覆合钢辊23和胶辊22贴合设置。干燥箱30包括第一干燥室31、第二干燥室32以及第三干燥室33,第一干燥室31、第二干燥室32以及第三干燥室33分别对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平面电容的制作方法,其特征在于,所述平面电容(10)包括第一金属箔层(11)、第二金属箔层(12)以及设于所述第一金属箔层(11)和所述第二金属箔层(12)之间的介质层(13),所述制作方法包括:/n制作用于形成所述介质层(13)的介质层浆料;/n将所述介质层浆料涂布在所述第一金属箔层(11)的表面上,对所述介质层浆料进行干燥处理,使所述第一金属箔层(11)的表面上形成半固化状态或低于半固化状态的所述介质层(13);/n将附着有所述介质层(13)的所述第一金属箔层(11)与所述第二金属箔层(12)进行覆合,所述第一金属箔层(11)附着有所述介质层(13)的表面朝向所述第二金属箔层(12)并进行覆合,得到所述平面电容(10);/n所述介质层(13)的组成成分包括环氧树脂,所述环氧树脂为缩水甘油醚型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、脂环族环氧树脂、环氧化烯烃化合物、甘蔗多元醇环氧树脂和混合结构环氧树脂中的至少一种。/n

【技术特征摘要】
1.一种平面电容的制作方法,其特征在于,所述平面电容(10)包括第一金属箔层(11)、第二金属箔层(12)以及设于所述第一金属箔层(11)和所述第二金属箔层(12)之间的介质层(13),所述制作方法包括:
制作用于形成所述介质层(13)的介质层浆料;
将所述介质层浆料涂布在所述第一金属箔层(11)的表面上,对所述介质层浆料进行干燥处理,使所述第一金属箔层(11)的表面上形成半固化状态或低于半固化状态的所述介质层(13);
将附着有所述介质层(13)的所述第一金属箔层(11)与所述第二金属箔层(12)进行覆合,所述第一金属箔层(11)附着有所述介质层(13)的表面朝向所述第二金属箔层(12)并进行覆合,得到所述平面电容(10);
所述介质层(13)的组成成分包括环氧树脂,所述环氧树脂为缩水甘油醚型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、脂环族环氧树脂、环氧化烯烃化合物、甘蔗多元醇环氧树脂和混合结构环氧树脂中的至少一种。


2.根据权利要求1所述的平面电容的制作方法,其特征在于,所述介质层(13)的组成成分还包括无机填料、助剂和溶剂中的至少一种;所述助剂为固化剂、分散剂、偶联剂、流平剂、消泡剂、促进剂中的至少一种;所述无机填料为钛酸钡钠、钛酸钡、钛酸铜钙、钛酸锶、钛酸锶钡、钛酸钙、钛酸钙钡、锆钛酸铅、钛酸铅钠、钛酸铅中的至少一种;所述溶剂包括丙酮、戊酮、酒精、丁酮中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的平面电容的制作方法,其特征在于,制作所述介质层浆料的方法包括:
将所述环氧树脂加入到第一溶剂中,在温度20~40℃下搅拌15min~35min,得到所述介质层浆料的混合液;
将所述无机填料搅拌分散于第二溶剂中,得到所述介质层浆料的悬浮液,将所述悬浮液搅拌分散于所述混合液中;
再加入助剂并搅拌混合均匀,得到所述介质层浆料的混合物,将所述混合物倒入球磨罐中以100rpm~200rpm的转速球磨5h~15h,得到所述介质层浆料。


4.根据权利要求3所述的平面电容的制作方法,其特征在于,所述环氧树脂的质量与所述第一溶剂的质量比为1:3~1:6。所述无机填料与所述第二溶剂的质量比为1:2~1:5。


5.根据权利要求1所述的平面电容的制作方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:李峰卢星华陶玉红杨柳周智勇李雪
申请(专利权)人:深圳市峰泳科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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