糊状粘接剂组合物和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的糊状粘接剂组合物是用作高反射粘接剂的糊状粘接剂组合物，其包含银颗粒、单体和主剂，通过将该糊状粘接剂组合物经30分钟从温度25℃升温至175℃，再以175℃热处理30分钟使其固化而获得的固化膜中，由相对于固化膜的平面以8°的角度入射的入射光产生的反射光的反射率分布满足以下的条件(A)、条件(B)和条件(C)。条件(A)：对波长430nm的反射率B为45％以上。条件(B)：对波长580nm的反射率Y为45％以上。条件(C)：对波长650nm的反射率R为45％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】糊状粘接剂组合物和半导体装置
本专利技术涉及糊状粘接剂组合物和半导体装置。
技术介绍
本专利技术涉及糊状粘接剂组合物和半导体装置。在用于半导体装置和电气/电子部件的各部件粘接的材料的领域中，进行着各种各样的技术开发。例如，在专利文献1中记载了散热性优异、并且能够将半导体元件良好地接合到金属基板上的半导体粘接用热固型树脂组合物。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-074132号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题本专利技术的专利技术人对于LED等高输出的光元件的粘接使用专利文献1中记载的半导体粘接用热固型树脂组合物进行了研究。其结果，专利文献1中记载的半导体粘接用热固型树脂组合物存在因导热率、芯片间(Chip-Chip)热扩散率等散热性不充分而导致热量在半导体装置中蓄积的缺陷。并且，本专利技术的专利技术人对于LED的粘接使用专利文献1中记载的半导体粘接用热固型树脂组合物进行了研究。其结果判明专利文献1中记载的半导体粘接用热固型树脂组合物在常温下放置时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种糊状粘接剂组合物，其是作为高反射粘接剂使用的糊状粘接剂组合物，所述糊状粘接剂组合物的特征在于，包含：/n银颗粒；/n单体；和/n主剂，/n通过将该糊状粘接剂组合物经30分钟从温度25℃升温至175℃，再以175℃热处理30分钟使其固化而获得的固化膜中，由相对于固化膜的平面以8°的角度入射的入射光产生的反射光的反射率分布满足以下的条件(A)、条件(B)和条件(C)，/n条件(A)：对波长430nm的反射率B为45％以上，/n条件(B)：对波长580nm的反射率Y为45％以上，/n条件(C)：对波长650nm的反射率R为45％以上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180301 JP 2018-0365661.一种糊状粘接剂组合物，其是作为高反射粘接剂使用的糊状粘接剂组合物，所述糊状粘接剂组合物的特征在于，包含：
银颗粒；
单体；和
主剂，
通过将该糊状粘接剂组合物经30分钟从温度25℃升温至175℃，再以175℃热处理30分钟使其固化而获得的固化膜中，由相对于固化膜的平面以8°的角度入射的入射光产生的反射光的反射率分布满足以下的条件(A)、条件(B)和条件(C)，
条件(A)：对波长430nm的反射率B为45％以上，
条件(B)：对波长580nm的反射率Y为45％以上，
条件(C)：对波长650nm的反射率R为45％以上。


2.根据权利要求1所述的糊状粘接剂组合物，其特征在于，
所述反射率B、所述反射率Y和所述反射率R的平均值为45％以上。


3.根据权利要求1或2所述的糊状粘接剂组合物，其特征在于，
所述反射率B、所述反射率Y和所述反射率R的标准偏差为4.0％以下。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的糊状粘接剂组合物，其特征在于，
所述银颗粒的形状为片状。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的糊状粘接剂组合物，其特征在于，
所述银颗粒的纵横比为2.0以上20以下。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的糊状粘接剂组合物，其特征在于，
所述银颗粒的平均粒径为1.0μm以上30μm以下。

【专利技术属性】
技术研发人员：西孝行，下边安雄，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP