互补薄膜晶体管及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例公开了一种互补薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。该互补薄膜晶体管包括：半导体层，所述半导体层包括沟道区、两个P型掺杂区和两个N型掺杂区；其中，所述两个P型掺杂区作为P型晶体管的掺杂区，所述两个N型掺杂区作为N型晶体管的掺杂区；所述两个P型掺杂区分别与所述沟道区连接，且所述两个N型掺杂区分别与所述沟道区连接，以使所述P型晶体管和所述N型晶体管共用至少部分所述沟道区；栅极，所述栅极在所述半导体层上的垂直投影与所述沟道区交叠；所述栅极作为所述P型晶体管的栅极以及所述N型晶体管的栅极。与现有技术相比，本发明专利技术实施例简化了电路版图，减小了电路版图占用的空间。

【技术实现步骤摘要】
互补薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种互补薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，显示面板的应用范围越来越广泛，人们对显示面板的要求也越来越高。尤其是对显示面板的全面屏和轻薄化要求，始终是消费者和面板生产厂商对显示面板的不断追求的目标之一。然而，现有的显示面板由于电路版图较为庞杂、占用了显示面板较多的空间等原因，阻碍了显示面板的全面屏和轻薄化的发展。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种互补薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，以简化电路版图，减小电路版图占用的空间。为实现上述技术目的，本专利技术实施例提供了如下技术方案：一种互补薄膜晶体管，包括：半导体层，所述半导体层包括沟道区、两个P型掺杂区和两个N型掺杂区；其中，所述两个P型掺杂区作为P型晶体管的掺杂区，所述两个N型掺杂区作为N型晶体管的掺杂区；所述两个P型掺杂区分别与所述沟道区连接，且所述两个N型掺杂区分别与所述沟道区连接，以使所述P型晶体管和所述N型晶体管共用至少部分所述沟道区；栅极绝缘层，位于所述半导体层的一侧；栅极，位于所述栅极绝缘层远离所述半导体层的一侧，所述栅极在所述半导体层上的垂直投影与所述沟道区交叠；所述栅极作为所述P型晶体管的栅极以及所述N型晶体管的栅极。进一步地，所述栅极包括相对设置的第一端部和第二端部，相对设置的第三端部和第四端部；其中，所述栅极的第一端部、第三端部、第二端部和第四端部依次连接，围合形成所述栅极；所述两个P型掺杂区位于所述栅极的第一端部远离所述栅极的一侧；所述两个N型掺杂区位于所述栅极的第二端部远离所述栅极的一侧。进一步地，所述沟道区的形状呈“工”字形或“＞—＜”形；所述沟道区包括：共用沟道区、第一独立沟道区、第二独立沟道区、第三独立沟道区和第四独立沟道区；其中，所述共用沟道区位于所述沟道区的中部，所述共用沟道区包括第一端部和第二端部；所述第一独立沟道区和所述第三独立沟道区均与所述第一端部连接；所述第二独立沟道区和所述第四独立沟道区均与所述第二端部连接。进一步地，沿所述共用沟道区的第一端部和第二端部的连线的一侧，设置所述第一独立沟道区和所述第二独立沟道区；沿所述共用沟道区的第一端部和第二端部的连线的另一侧，设置所述第三独立沟道区和所述第四独立沟道区；或者，沿所述第一端部和所述第二端部的连线的一侧，设置所述第一独立沟道区和所述第四独立沟道区；沿所述第一端部和所述第二端部的连线的另一侧，设置所述第二独立沟道区和所述第三独立沟道区。进一步地，所述半导体层的形状呈轴对称，且所述半导体层的形状呈中心对称。进一步地，所述共用沟道区的面积与所述沟道区的面积的比值区间为[0.3,1]。进一步地，所述两个P型掺杂区分别为第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，所述两个N型掺杂区分别为第一N型掺杂区和第二N型掺杂区；所述互补薄膜晶体管还包括：第一源漏层，贯穿所述栅极绝缘层；且所述第一源漏层的第一端部与所述第一P型掺杂区连接，所述第一源漏层的第二端部与第一电源线连接；第二源漏层，贯穿所述栅极绝缘层；且所述第二源漏层的第一端部与所述第二P型掺杂区连接，所述第二源漏层的第二端部与输出信号线连接；第三源漏层，贯穿所述栅极绝缘层；且所述第三源漏层的第一端部与所述第一N型掺杂区连接，所述第三源漏层的第二端部与第二电源线连接；第四源漏层，贯穿所述栅极绝缘层；且所述第四源漏层的第一端部与所述第二N型掺杂区连接，所述第四源漏层的第二端部与所述输出信号线连接。相应地，本专利技术还提供了一种显示面板，包括：本专利技术任意实施例所述的互补薄膜晶体管。相应地，本专利技术还提供了一种互补薄膜晶体管的制作方法，可适用于本专利技术任意实施例所述的互补薄膜晶体管。该互补薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：提供基板，在所述基板上形成图案化的半导体层；所述半导体层包括沟道区、两个P型待掺杂区和两个N型待掺杂区；在所述半导体层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成图案化的栅极；其中，所述栅极在所述半导体层上的垂直投影与所述沟道区交叠；所述栅极作为P型晶体管的栅极以及N型晶体管的栅极；对所述半导体层的所述两个P型待掺杂区进行离子注入，形成两个P型掺杂区；所述两个P型掺杂区作为所述P型晶体管的掺杂区，所述两个P型掺杂区分别与所述沟道区连接；对所述半导体层的所述两个N型待掺杂区进行离子注入，形成两个N型掺杂区；所述两个N型掺杂区作为所述N型晶体管的掺杂区，所述两个N型掺杂区分别与所述沟道区连接；以使所述P型晶体管和所述N型晶体管共用至少部分所述沟道区。进一步地，所述栅极包括相对设置的第一端部和第二端部，相对设置的第三端部和第四端部；其中，所述栅极的第一端部、第三端部、第二端部和第四端部依次连接，围合形成所述栅极；所述两个P型掺杂区位于所述栅极的第一端部远离所述栅极的一侧；所述两个N型掺杂区位于所述栅极的第二端部远离所述栅极的一侧；所述制作方法包括：对所述半导体层的两个P型待掺杂区注入的P型离子束呈第一预设角度倾斜，且所述P型离子束倾斜注入的方向为沿所述栅极的第一端部指向所述栅极的第二端部；对所述半导体层的两个N型待掺杂区注入的N型离子束呈第二预设角度倾斜，且所述N型离子束倾斜注入的方向为沿所述栅极的第二端部指向所述栅极的第一端部。本专利技术实施例结合互补薄膜晶体管的分时工作的特性，设置P型晶体管和N型晶体管分时利用共用的沟道区，虽然P型晶体管和N型晶体管共用了至少部分沟道区，但不会影响互补薄膜晶体管的正常工作。因此，本专利技术实施例在维持P型晶体管和N型晶体管仍然能够正常工作的基础上，使得其电路版图的结构紧凑，简化了电路版图，减小了电路版图所占用的空间。附图说明图1为现有的一种互补薄膜晶体管的电路结构示意图；图2为现有的一种互补薄膜晶体管的电路版图；图3为沿图2中Z-Z'的剖面结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种互补薄膜晶体管的电路版图；图5为沿图4中A-A'的剖面结构示意图；图6为沿图4中B-B'的剖面结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种互补薄膜晶体管的等效电路图；图8为本专利技术实施例提供的一种半导体层的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的另一种半导体层的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的又一种半导体层的结构示意图；图11为本专利技术实施例提供的又一种半导体层的结构示意图；图12为本专利技术实施例提供的另一种互补薄膜晶体管的电路版图；图13为图12中的半导体层的结构示意图；图14为图4中C-C'的剖面结构示意图；图15为图4中D-D'的剖面结构示意图；图16为本专利技术实施例提供的一种补薄膜晶体管的制作方法在S110-S130形成的结构示意图；图17为本专利技术实施例提供的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种互补薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n半导体层，所述半导体层包括沟道区、两个P型掺杂区和两个N型掺杂区；其中，所述两个P型掺杂区作为P型晶体管的掺杂区，所述两个N型掺杂区作为N型晶体管的掺杂区；所述两个P型掺杂区分别与所述沟道区连接，且所述两个N型掺杂区分别与所述沟道区连接，以使所述P型晶体管和所述N型晶体管共用至少部分所述沟道区；/n栅极绝缘层，位于所述半导体层的一侧；/n栅极，位于所述栅极绝缘层远离所述半导体层的一侧，所述栅极在所述半导体层上的垂直投影与所述沟道区交叠；所述栅极作为所述P型晶体管的栅极以及所述N型晶体管的栅极。/n

【技术特征摘要】
1.一种互补薄膜晶体管，其特征在于，包括：
半导体层，所述半导体层包括沟道区、两个P型掺杂区和两个N型掺杂区；其中，所述两个P型掺杂区作为P型晶体管的掺杂区，所述两个N型掺杂区作为N型晶体管的掺杂区；所述两个P型掺杂区分别与所述沟道区连接，且所述两个N型掺杂区分别与所述沟道区连接，以使所述P型晶体管和所述N型晶体管共用至少部分所述沟道区；
栅极绝缘层，位于所述半导体层的一侧；
栅极，位于所述栅极绝缘层远离所述半导体层的一侧，所述栅极在所述半导体层上的垂直投影与所述沟道区交叠；所述栅极作为所述P型晶体管的栅极以及所述N型晶体管的栅极。


2.根据权利要求1所述的互补薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极包括相对设置的第一端部和第二端部，相对设置的第三端部和第四端部；其中，所述栅极的第一端部、第三端部、第二端部和第四端部依次连接，围合形成所述栅极；
所述两个P型掺杂区位于所述栅极的第一端部远离所述栅极的一侧；所述两个N型掺杂区位于所述栅极的第二端部远离所述栅极的一侧。


3.根据权利要求1所述的互补薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区的形状呈“工”字形或“＞—＜”形；所述沟道区包括：共用沟道区、第一独立沟道区、第二独立沟道区、第三独立沟道区和第四独立沟道区；
其中，所述共用沟道区位于所述沟道区的中部，所述共用沟道区包括第一端部和第二端部；所述第一独立沟道区和所述第三独立沟道区均与所述第一端部连接；所述第二独立沟道区和所述第四独立沟道区均与所述第二端部连接。


4.根据权利要求3所述的互补薄膜晶体管，其特征在于，
沿所述共用沟道区的第一端部和第二端部的连线的一侧，设置所述第一独立沟道区和所述第二独立沟道区；沿所述共用沟道区的第一端部和第二端部的连线的另一侧，设置所述第三独立沟道区和所述第四独立沟道区；
或者，沿所述第一端部和所述第二端部的连线的一侧，设置所述第一独立沟道区和所述第四独立沟道区；沿所述第一端部和所述第二端部的连线的另一侧，设置所述第二独立沟道区和所述第三独立沟道区。


5.根据权利要求3所述的互补薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的形状呈轴对称，且所述半导体层的形状呈中心对称。


6.根据权利要求3所述的互补薄膜晶体管，其特征在于，所述共用沟道区的面积与所述沟道区的面积的比值区间为[0.3,1]。


7.根据权利要求1所述的互补薄膜晶体管，其特征在于，所述两个P型掺杂区分别为第一P型掺杂区和第二P型掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：张豪峰，郭瑞，陈建平，王明玺，张萌，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32