金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板技术

本发明专利技术提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。本发明专利技术提供的金属氧化物阵列基板的制造方法依次在衬底基板上沉积栅金属层和缓冲层，在缓冲层上形成半导体图形，在半导体图形上形成薄膜晶体管的源极和漏极，最后在缓冲层上沉积保护层，并在保护层上与扫描线对应的位置设计限位槽，从而在显示面板受到压迫时，有效阻止了隔垫物的滑动，解决了因隔垫物滑动导致的漏光问题。

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板
本专利技术涉及平面显示
，尤其涉及一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。
技术介绍
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)，而平面显示器通常由上层基板和下层基板对合并形成，两基板之间的间距是影响显示器件质量的重要因素。目前，为了保证上层基板和下层基板之间的间隙，主要采用在两基板之间加入一定厚度的隔垫物的方式，常用的隔垫物有柱形隔垫物(PostSpacer，PS)，其中，柱形隔垫物主要是通过构图工艺设置在上层基板上，这样可以精确控制柱形隔垫物的位置，从而通过柱形隔垫物的高度控制上层基板和下层基板之间的间隙。然而，现有技术中，显示面板在受到外力时，上层基板和下层基板会相对产生偏移，造成柱形隔垫物的滑动，导致漏光。
技术实现思路
本专利技术提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，可以有效阻止显示面板受到外力时柱形隔垫物的滑动，消除了漏光现象。第一方面，本专利技术提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极及扫描线；在栅金属层上沉积至少一层缓冲层，并在缓冲层上形成位于栅极上方的半导体图形；在半导体图形上形成源极和漏极；在缓冲层上沉积保护层，并在保护层上形成限位槽，限位槽的位置与隔垫物相对应，以用于容纳隔垫物。第二方面，本专利技术提供了一种阵列基板，采用上述的金属氧化物阵列基板的制造方法制造而成。第三方面，本专利技术提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。本专利技术提供的金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，依次在衬底基板上沉积栅金属层和缓冲层，在缓冲层上形成半导体图形，在半导体图形上形成薄膜晶体管的源极和漏极，最后在缓冲层上沉积保护层，并通过在保护层上与扫描线对应的位置设计限位槽，在不增加工艺步骤的前提下，实现了对隔垫物的限位，从而使得显示面板在受到压迫时，隔垫物可以落入限位槽内，有效阻止了隔垫物的滑动，解决了因显示面板受到外力隔垫物滑动导致的漏光问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中半导体图形的形成步骤示意图；图3a为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中一种保护层的形成步骤示意图；图3b为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中另一种保护层的形成步骤示意图；图4为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第一状态的俯视图；图5为图4中A方向的剖视图；图6为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第二状态的俯视图；图7为图6中B方向的剖视图；图8为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第三状态的俯视图；图9为图8中C方向的剖视图；图10为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第四状态的俯视图；图11为图10中D方向的剖视图；图12为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第五状态的俯视图；图13为图12中E方向的剖视图；图14为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第六状态的俯视图；图15为图14中F方向的剖视图。附图标记说明：10-衬底基板；20-栅金属层；21-栅极；22-扫描线；30-缓冲层；40-半导体图形；50-源极；51-漏极；52-数据线；60-保护层；61-连通孔；62-限位槽；70-透明导电层；100-隔垫物。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。首先，本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本专利技术的技术原理，并非旨在限制本专利技术的保护范围。本领域技术人员可以根据需要对其作出调整，以便适应具体的应用场合。其次，需要说明的是，在本专利技术的描述中，术语“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示装置或构件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，还需要说明的是，在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个构件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)，而平面显示器通常由上层基板和下层基板对合并形成，两基板之间的间距是影响显示器件质量的重要因素。目前，为了保证上层基板和下层基板之间的间隙，主要采用在两基板之间加入一定厚度的隔垫物的方式，常用的隔垫物有柱形隔垫物(PostSpacer，PS)，其中，柱形隔垫物主要是通过构图工艺设置在上层基板上，这样可以精确控制柱形隔垫物的位置，从而通过柱形隔垫物的高度控制上层基板和下层基板之间的间隙。然而，现有技术中，显示面板在受到外力时，上层基板和下层基板会相对产生偏移，造成柱形隔垫物的滑动，导致漏光。为了解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，可以有效阻止显示面板受到外力时柱形隔垫物的滑动，消除了漏光现象。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极及扫描线；/n在所述栅金属层上沉积至少一层缓冲层，并在所述缓冲层上形成位于所述栅极上方的半导体图形；/n在所述半导体图形上形成源极和漏极；/n在所述缓冲层上沉积保护层，并在所述保护层上形成限位槽，所述限位槽的位置与隔垫物相对应，以用于容纳所述隔垫物。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极及扫描线；
在所述栅金属层上沉积至少一层缓冲层，并在所述缓冲层上形成位于所述栅极上方的半导体图形；
在所述半导体图形上形成源极和漏极；
在所述缓冲层上沉积保护层，并在所述保护层上形成限位槽，所述限位槽的位置与隔垫物相对应，以用于容纳所述隔垫物。


2.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述栅金属层上沉积至少一层缓冲层，并在所述缓冲层上形成位于所述栅极上方的半导体图形，具体包括：
在所述缓冲层上沉积形成第一金属氧化物半导体层，所述第一金属氧化物半导体层包括非晶氧化物半导体或者多晶氧化物半导体；
在所述第一金属氧化物半导体层上沉积第二金属氧化物半导体层，所述第二金属氧化物半导体层包括耐腐蚀型金属氧化物半导体。


3.根据权利要求2所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体层的厚度为所述第二金属氧化物半导体层的厚度的2-10倍。


4.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述缓冲层上沉积保护层，并在所述保护层上形成限位槽，具体包括：
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51