液晶显示装置用阵列基板的制造方法及用于其的铜系金属膜蚀刻液组合物制造方法及图纸

本发明专利技术提供液晶显示装置用阵列基板的制造方法及用于其的铜系金属膜蚀刻液组合物，上述铜系金属膜蚀刻液组合物包含过氧化氢；含氟化合物或无机酸；唑化合物；有机酸；柠檬酸盐；硫酸盐和磷酸盐中的一种以上；多元醇型表面活性剂；以及水，上述液晶显示装置用阵列基板的制造方法是通过利用上述蚀刻液组合物蚀刻铜系金属膜从而形成源电极/漏电极，能够在不损伤氧化物半导体层的情况下将铜系金属膜一并蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置用阵列基板的制造方法及用于其的铜系金属膜蚀刻液组合物
本专利技术涉及液晶显示装置用阵列基板的制造方法及用于其的铜系金属膜蚀刻液组合物。
技术介绍
随着正式进入信息化时代，处理及显示大量信息的显示器领域得到飞速发展，与此相应，多种多样的平板显示器得到开发并受到关注。作为这样的平板显示器装置的例子，可以举出液晶显示器装置(Liquidcrystaldisplaydevice：LCD)、等离子体显示器装置(PlasmaDisplayPaneldevice：PDP)、场发射显示器装置(FieldEmissionDisplaydevice：FED)、电致发光显示器装置(ElectroluminescenceDisplaydevice：ELD)、有机发光显示器装置(OrganicLightEmittingDiodes：OLED)等，这样的平板显示器装置在电视机或录像机等家电领域以及笔记本之类的电脑和手机等中以多种多样的用途使用。实际情况是，这些平板显示器装置因薄型化、轻量化及低功耗化等优异的性能而正在快速取代一直以来使用的布劳恩管(CathodeRayTube：NIT)。液晶显示装置中，在基板上形成金属配线的过程通常包括利用如下工序的步骤：利用溅射等的金属膜形成工序；利用光致抗蚀剂涂布、曝光及显影的选择性区域中的光致抗蚀剂形成工序；及蚀刻工序，并且包括在个别单元工序前后的清洗工序等。这样的蚀刻工序是指，将光致抗蚀剂作为掩模，在选择性区域中留下金属膜的工序，通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用蚀刻液组合物的湿式蚀刻。这样的液晶显示装置中，近年来主要关注金属配线的电阻。这是因为，电阻是诱发RC信号延迟的主要因素，在薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，TFT-LCD)中，解决RC信号延迟问题即是增加面板大小和实现高分辨率的关键。因此，为了实现TFT-LCD的大型化时所需的RC信号延迟的减少，必须开发低电阻物质。以往主要使用的铬(Cr，电阻率：12.7×10-8Ωm)、钼(Mo，电阻率：5×10-8Ωm)、铝(Al，电阻率：2.65×10-8Ωm)及它们的合金的电阻大，因此难以用于大型TFT-LCD中所使用的栅极配线和数据配线等。因此，作为低电阻金属膜的铜膜和铜钼膜等铜系金属膜以及对于其的蚀刻液组合物受到关注。但是，迄今为止已知的铜系金属膜蚀刻液组合物仍无法满足使用者所要求的性能，因此需要用于提高性能的研究开发。与此相关，韩国公开专利第10-2015-0004971号公开了包含多元醇表面活性剂、柠檬酸、过氧化氢、含氟化合物和唑化合物的铜系金属膜蚀刻液组合物，但在上述蚀刻液组合物的情况下，当将氧化物半导体用作半导体层时，存在以下问题：工序进行时蚀刻液组合物因排气而浓缩，氧化物半导体的损伤程度发生变化而难以控制工序，由此难以维持液晶显示装置的性能。现有技术文献专利文献韩国公开专利第10-2015-0004971号
技术实现思路
所要解决的课题为了改善上述以往技术的问题，本专利技术的目的在于，提供一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其使用能够在不损伤氧化物半导体层的情况下将铜系金属膜一并蚀刻的蚀刻液组合物。解决课题的方法为了实现上述目的，本专利技术提供一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：a)在基板上形成栅电极的步骤；b)在包含上述栅电极的基板上形成栅极绝缘层的步骤；c)在上述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层(IGZO)的步骤；d)在上述氧化物半导体层上形成源电极/漏电极的步骤；以及e)形成与上述源电极/漏电极连接的像素电极的步骤，上述d)步骤中，在上述氧化物半导体层上形成铜系金属膜，且利用蚀刻液组合物蚀刻上述铜系金属膜而形成上述源电极/漏电极，上述蚀刻液组合物包含过氧化氢；含氟化合物或无机酸；唑化合物；有机酸；柠檬酸盐；硫酸盐和磷酸盐中的一种以上；多元醇型表面活性剂；以及水。此外，本专利技术提供一种铜系金属膜蚀刻液组合物，相对于组合物总重量，包含(A)过氧化氢5.0～30.0重量％；(B)含氟化合物或无机酸0.001～1.0重量％；(C)唑化合物0.01～2.0重量％；(D)有机酸1.0～10.0重量％；(E)柠檬酸盐0.1～5重量％；(F)硫酸盐和磷酸盐中的一种以上0.01～5重量％；(G)多元醇型表面活性剂0.001～5.0重量％；以及(H)水。专利技术效果本专利技术的液晶显示装置用阵列基板的制造方法能够在不损伤氧化物半导体层的情况下将铜系金属膜一并蚀刻，使用蚀刻轮廓和蚀刻直进性优异的蚀刻液组合物而减少包含上述铜系金属膜的钼膜或钼合金膜的尖端(tip)产生，在使用设备进行蚀刻的过程中，排气所导致的氧化物半导体层的损伤率(Damagerate)变化量低而抑制侧蚀(Sideetch)变化，从而提供容易控制工序的效果。具体实施方式本专利技术涉及包含过氧化氢；含氟化合物或无机酸；唑化合物；有机酸；柠檬酸盐；硫酸盐和磷酸盐中的一种以上；多元醇型表面活性剂；以及水的蚀刻液组合物、和利用上述蚀刻液组合物的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其能够在不损伤氧化物半导体层的情况下将铜系金属膜一并蚀刻，蚀刻轮廓和蚀刻直进性优异而减少包含上述铜系金属膜的钼膜或钼合金膜的尖端产生，在使用设备进行蚀刻的过程中，排气所导致的氧化物半导体层的损伤率变化量低而抑制侧蚀变化，从而提供容易控制工序的效果。以下，具体说明本专利技术的构成。<液晶显示装置用阵列基板的制造方法>本专利技术提供一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：a)在基板上形成栅电极的步骤；b)在包含上述栅电极的基板上形成栅极绝缘层的步骤；c)在上述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层(IGZO)的步骤；d)在上述氧化物半导体层上形成源电极/漏电极的步骤；以及e)形成与上述源电极/漏电极连接的像素电极的步骤，上述d)步骤中，在上述氧化物半导体层上形成铜系金属膜，且利用蚀刻液组合物蚀刻上述铜系金属膜而形成上述源电极/漏电极，上述蚀刻液组合物包含过氧化氢；含氟化合物或无机酸；唑化合物；有机酸；柠檬酸盐；硫酸盐和磷酸盐中的一种以上；多元醇型表面活性剂；以及水。上述铜系金属膜是在膜的构成成分中包含铜的金属膜，具体而言，可以包含由铜或铜合金构成的单层膜、或者包含上述单层膜和由钼或钼合金构成的膜的双层膜以及三层膜等多层膜。例如，就上述铜系金属膜而言，作为单层膜，可以包含铜膜、铜合金膜，作为双层膜，可以包含铜膜-钼膜、铜膜-钼合金膜、铜合金膜-钼膜、铜合金膜-钼合金膜，作为三层膜，可以包含钼膜-铜膜-钼膜、钼合金膜-铜膜-钼合金膜、钼膜-铜合金膜-钼膜、钼合金膜-铜合金膜-钼合金膜、钼膜-铜膜-钼合金膜、钼合金膜-铜膜-钼膜、钼膜-铜合金膜-钼合金膜、钼合金膜-铜合金膜-钼膜等。上述合金膜可以为铜或钼与选自由钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)和钕本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/na)在基板上形成栅电极的步骤；/nb)在包含所述栅电极的基板上形成栅极绝缘层的步骤；/nc)在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层IGZO的步骤；/nd)在所述氧化物半导体层上形成源电极/漏电极的步骤；以及/ne)形成与所述源电极/漏电极连接的像素电极的步骤，/n所述d)步骤中，在所述氧化物半导体层上形成铜系金属膜，且利用蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成所述源电极/漏电极，所述蚀刻液组合物包含过氧化氢；含氟化合物或无机酸；唑化合物；有机酸；柠檬酸盐；硫酸盐和磷酸盐中的一种以上；多元醇型表面活性剂；以及水。/n

【技术特征摘要】
20190329 KR 10-2019-0037421;20190329 KR 10-2019-001.一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
a)在基板上形成栅电极的步骤；
b)在包含所述栅电极的基板上形成栅极绝缘层的步骤；
c)在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层IGZO的步骤；
d)在所述氧化物半导体层上形成源电极/漏电极的步骤；以及
e)形成与所述源电极/漏电极连接的像素电极的步骤，
所述d)步骤中，在所述氧化物半导体层上形成铜系金属膜，且利用蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成所述源电极/漏电极，所述蚀刻液组合物包含过氧化氢；含氟化合物或无机酸；唑化合物；有机酸；柠檬酸盐；硫酸盐和磷酸盐中的一种以上；多元醇型表面活性剂；以及水。


2.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述铜系金属膜为由铜或铜合金构成的单层膜，或者包含所述单层膜和由钼或钼合金构成的膜的多层膜。


3.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述液晶显示装置用阵列基板为薄膜晶体管TFT阵列基板。


4.一种铜系金属膜蚀刻液组合物，相对于组合物总重量，包含：
(A)过氧化氢5.0～30.0重量％；
(B)含氟化合物或无机酸0.001～1.0重量％；
(C)唑化合物0.01～2.0重量％；
(D)有机酸1.0～10.0重量％；
(E)柠檬酸盐0.1～5重量％；
(F)硫酸盐和磷酸盐中的一种以上0.01～5重量％；
(G)多元醇型表面活性剂0.001～5.0重量％；以及
(H)水。


5.根据权利要求4所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑敬燮，朴镛云，梁圭亨，金相正，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR