薄膜晶体管基板和显示装置制造方法及图纸

薄膜晶体管基板包括：基板；布置在基板上的第一电极；布置在基板上并且具有相对于基板以一定角度倾斜的倾斜表面的堤；布置在堤上的第二电极；电连接到第一电极和第二电极的有源图案，有源图案被布置在倾斜表面上，并且包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在第一导电区与第二导电区之间的沟道区；以及与有源图案的沟道区的至少一部分重叠的栅电极。在平面图中，倾斜表面在第一方向上延伸。第一导电区、沟道区和第二导电区沿着与第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在倾斜表面上。本申请还公开了包括上述薄膜晶体管基板的显示装置。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板和显示装置
本专利技术构思的示例性实施方式涉及薄膜晶体管基板、具有薄膜晶体管基板的显示装置以及制造薄膜晶体管基板的方法。更具体地，本专利技术构思的示例性实施方式涉及具有改善的空间利用率的薄膜晶体管基板、具有改善的柔性的薄膜晶体管基板的显示装置以及制造薄膜晶体管基板的方法。
技术介绍
近来，已经制造出具有轻的重量和小的尺寸的显示装置。阴极射线管(CRT)显示装置由于其性能和有竞争力的价格已经被使用了数十年。然而，CRT显示装置因其尺寸和可携带性而具有缺点。因此，诸如等离子体显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的平板显示装置由于其小的尺寸、轻的重量和低功耗已经受到高度重视。为了改善显示装置的显示质量，已经进行了提高显示装置的分辨率的努力。然而，由于减小了由一个像素占用的区域，因此减小了用于放置薄膜晶体管的空间。近年来，已经积极开展研究以开发柔性显示装置，柔性显示装置能够折叠屏幕以增强可携带性并在使用该柔性显示装置时能够展开屏幕。存在使柔性显示装置的厚度比传统显示装置的厚度薄以赋予并增加柔性的需求。
技术实现思路
本专利技术构思的一个或多个示例性实施方式提供了一种具有改善的空间利用率的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板。本专利技术构思的一个或多个示例性实施方式还提供了一种具有包括柔性区域的薄膜晶体管基板的显示装置。本专利技术构思的一个或多个示例性实施方式还提供了一种制造薄膜晶体管基板的方法。根据本专利技术构思的示例性实施方式，薄膜晶体管基板包括：基板；布置在基板上的第一电极；布置在基板上并且具有相对于基板以一定角度倾斜的倾斜表面的堤；布置在堤上的第二电极；电连接到第一电极和第二电极的有源图案，有源图案被布置在倾斜表面上，并且包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在第一导电区与第二导电区之间的沟道区；以及与有源图案的沟道区的至少一部分重叠的栅电极。在平面图中，倾斜表面在第一方向上延伸。第一导电区、沟道区和第二导电区沿着与第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在倾斜表面上。在示例性实施方式中，有源图案的沟道区可以形成在倾斜表面上。在示例性实施方式中，第一电极与第二电极之间的高度差可以不超过200μm(微米)。在示例性实施方式中，第一导电区可以具有与第一电极重叠的第一部分以及连接到第一部分并且与倾斜表面的与第一电极相邻的一部分重叠的第二部分。在示例性实施方式中，有源图案可以在倾斜表面上具有S形。根据本专利技术构思的示例性实施方式，显示装置包括：基板；布置在基板上并且具有相对于基板以第一角度倾斜的第一倾斜表面的第一堤；包括第一电极、第二电极、第一有源图案和栅电极的第一薄膜晶体管；以及电连接到第一薄膜晶体管的发光结构。第一电极被布置在基板上，并且第二电极被布置在第一堤上。第一有源图案电连接到第一电极和第二电极并且被布置在第一倾斜表面上。第一有源图案包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在第一导电区与第二导电区之间的沟道区，并且栅电极与第一有源图案的沟道区重叠。在示例性实施方式中，在平面图中，第一倾斜表面可以在第一方向上延伸。第一导电区、沟道区和第二导电区可以沿着与第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在第一倾斜表面上。基板可以包括第一加强区域和第二加强区域以及可弯曲并且被布置在第一加强区域与第二加强区域之间的柔性区域。在示例性实施方式中，第一电极与第二电极之间的高度差可以不超过200μm(微米)。在示例性实施方式中，第一导电区可以具有与第一电极重叠的第一部分以及连接到第一部分并且与第一倾斜表面的与第一电极相邻的一部分重叠的第二部分。在示例性实施方式中，显示装置可以进一步包括在第一方向上与第一堤间隔开的第二堤以及包括第二有源图案的第二薄膜晶体管。第二堤可以包括相对于基板以第二角度倾斜的第二倾斜表面。第二薄膜晶体管的第二有源图案可以被布置在第二堤的第二倾斜表面上。在示例性实施方式中，显示装置可以进一步包括在第二方向上与第一堤间隔开的第三堤。第一堤、第二堤和第三堤中的每个具有岛形状。基板可以是沿着第一方向和第二方向可弯曲的。在示例性实施方式中，显示装置可以进一步包括具有第二有源图案的第二薄膜晶体管。第一堤可以进一步包括与第一倾斜表面相对的第二倾斜表面。第二薄膜晶体管的第二有源图案可以被布置在第二倾斜表面上。在示例性实施方式中，第一堤的弹性模量可以为10GPa或更大。在示例性实施方式中，第一有源图案的沟道区可以形成在倾斜表面上。根据本专利技术构思的示例性实施方式，制造薄膜晶体管基板的方法包括：形成具有相对于基板以第一角度倾斜的倾斜表面的堤；在倾斜表面上形成包括非晶硅的初始有源图案；用准分子激光照射初始有源图案以形成包括多晶硅的有源图案；在有源图案上形成栅绝缘层；并且在栅绝缘层上形成栅电极。在示例性实施方式中，在垂直于基板的方向上的有源图案的高度可以不超过200μm(微米)。在示例性实施方式中，该方法可以进一步包括通过在有源图案的相应部分中掺杂杂质而形成源区和漏区。有源图案可以包括在源区与漏区之间的沟道区并且可以与栅电极重叠。有源图案的沟道区可以形成在倾斜表面上。在示例性实施方式中，该方法可以进一步包括在基板上形成第一电极以及在堤上形成第二电极。第一电极可以连接到有源图案的源区，并且第二电极可以连接到有源图案的漏区。在平面图中，第一电极和第二电极可以彼此间隔开。在示例性实施方式中，堤的弹性模量可以为10GPa或更大。根据本专利技术构思的示例性实施方式，薄膜晶体管基板包括：基板；布置在基板上的第一电极；布置在基板上并且具有相对于基板以一定角度倾斜的倾斜表面的堤；布置在堤上的第二电极；电连接到第一电极和第二电极的有源图案，有源图案被布置在倾斜表面上，并且包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在第一导电区与第二导电区之间的沟道区；以及与有源图案的沟道区重叠的栅电极。在平面图中，倾斜表面在第一方向上延伸。第一导电区、沟道区和第二导电区沿着与第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在倾斜表面上。薄膜晶体管的有源图案被布置在堤的倾斜表面上，使得由包含在一个像素中的多个薄膜晶体管占用的平面图中的空间可以减小。因此，可以减小显示设备的像素的尺寸，并且显示设备可以具有高分辨率，并且可以改善显示设备的显示质量。另外，可以考虑用于有源图案的结晶的准分子激光的焦距来确定堤的高度。另外，薄膜晶体管的沟道区形成在倾斜表面上，从而防止可能由差的结晶质量引起的薄膜晶体管的质量的劣化。另外，显示装置可以实现包括柔性区域的柔性显示装置，其中合适形状、尺寸和配置的堤可以被设置，使得显示设备可以是可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。应当理解，前述概括的描述和下面的详细描述两者都是示例性和说明性的，并且旨在提供包括专利技术构思的本公开的进一步说明。附图说明通过参考附图详细描述其示例性实施方式，本专利技术构思的上述和其它特征将变得更显而易见，在附图中：图1是图示根据本专利技术构思的示例性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板，包括：/n基板；/n布置在所述基板上的第一电极；/n布置在所述基板上并且具有相对于所述基板以一定角度倾斜的倾斜表面的堤；/n布置在所述堤上的第二电极；/n电连接到所述第一电极和所述第二电极的有源图案，所述有源图案被布置在所述倾斜表面上，并且包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在所述第一导电区与所述第二导电区之间的沟道区；以及/n与所述有源图案的所述沟道区的至少一部分重叠的栅电极，/n其中在平面图中，所述倾斜表面在第一方向上延伸，/n其中所述第一导电区、所述沟道区和所述第二导电区沿着与所述第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在所述倾斜表面上。/n

【技术特征摘要】
20190325 KR 10-2019-00338001.一种薄膜晶体管基板，包括：
基板；
布置在所述基板上的第一电极；
布置在所述基板上并且具有相对于所述基板以一定角度倾斜的倾斜表面的堤；
布置在所述堤上的第二电极；
电连接到所述第一电极和所述第二电极的有源图案，所述有源图案被布置在所述倾斜表面上，并且包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在所述第一导电区与所述第二导电区之间的沟道区；以及
与所述有源图案的所述沟道区的至少一部分重叠的栅电极，
其中在平面图中，所述倾斜表面在第一方向上延伸，
其中所述第一导电区、所述沟道区和所述第二导电区沿着与所述第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在所述倾斜表面上。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述有源图案的所述沟道区形成在所述倾斜表面上。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一电极与所述第二电极之间的高度差不超过200μm。


4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一导电区具有与所述第一电极重叠的第一部分以及连接到所述第一部分并且与所述倾斜表面的与所述第一电极相邻的一部分重叠的第二部分。


5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述有源图案在所述倾斜表面上具有S形。


6.一种显示装置，包括：
基板；
布置在所述基板上并且具有相对于所述基板以第一角度倾斜的第一倾斜表面的第一堤；
包括第一电极、第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮成进，姜美在，李镕守，崔相虔，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR