阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域。阵列基板包括衬底基板和至少一个指纹识别单元，任一指纹识别单元均包括依次设置的第一半导体层、隔离层和第二半导体层；沿垂直于衬底基板所在平面的方向，还包括贯穿隔离层的至少一个第一通孔，第二半导体层通过第一通孔与第一半导体层相接触；任一指纹识别单元包括第一区和环绕第一区的第二区，第一通孔在衬底基板的正投影位于第一区，第二半导体层在衬底基板的正投影位于第一区和第二区；第二半导体层包括靠近第一半导体层的第一表面，第二半导体层的第一表面位于第一区的至少部分不与第一半导体层相接触。通过减小两个半导体层相接触的面积，降低两个半导体层发生剥离的风险。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着移动显示产品的普及，信息安全备受人们的关注。指纹是人体与生俱来独一无二可与其他人相区别的不变特征，它是由指端皮肤表面上的一系列脊和谷组成，这些脊和谷的组成细节决定了指纹图案的唯一性。由于指纹具有唯一性、难以复制性、安全性等优点，近年来指纹识别技术被广泛应用于移动显示产品中，作为一种身份认证和访问控制的方式，使得移动显示产品的安全性和易操作性得到极大的提高。光学指纹识别是利用光的折射和反射原理，将手指放在移动显示产品上，通过光线照在手指表面纹谷和纹脊的反射差异，实现光感器件接收不同指纹信息差异化，形成指纹图像，工作原理比较简单，适合移动显示产品的全面屏化设计。现有技术中，光学指纹识别技术一般采用光电二极管作为感光元件，光学指纹识别区域的光电二极管包括有A-si和PolySi，且A-si和PolySi这两层直接搭接，但是当A-si朝向PolySi的一侧表面接触面积过大时，由于膜层之间的接触力较差，会存在A-si和PolySi发生剥离的问题，影响光学指纹识别单元的电学特性。因此，亟待专利技术一种新的光学指纹识别单元的膜层关系结构，以避免光学指纹识别单元易发生膜层剥离的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种阵列基板和显示装置，用以改善指纹识别单元中膜层结构间易发生剥离的问题。第一方面，本申请提供一种种阵列基板，包括衬底基板和至少一个指纹识别单元，任一所述指纹识别单元均包括在所述衬底基板一侧依次设置的第一半导体层、隔离层和第二半导体层；沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述阵列基板还包括贯穿所述隔离层的至少一个第一通孔，各所述指纹识别单元中的所述第二半导体层通过至少一个所述第一通孔与所述第一半导体层相接触；任一所述指纹识别单元包括第一区和环绕所述第一区的第二区，所述第一通孔在所述衬底基板的正投影位于所述第一区，所述第二半导体层在所述衬底基板的正投影位于所述第一区和所述第二区；各所述指纹识别单元中，所述第二半导体层包括靠近所述第一半导体层的第一表面，所述第二半导体层的所述第一表面位于所述第一区的至少部分不与所述第一半导体层相接触。第二方面，本申请提供了一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板。与现有技术相比，本专利技术提供的一种阵列基板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：本申请提供了一种阵列基板，在指纹识别单元的膜层结构中，通过在第一半导体层和第二半导体层之间的隔离层中设置若干个第一通孔，使第一半导体层和第二半导体层通过第一通孔相接触，减小两个半导体层相接触的表面积，从而降低第一半导体层和第二半导体层发生剥离的风险，提高阵列基板的可靠性。当然，实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1所示为本申请实施例所提供的阵列基板的一种示意图；图2所示为本申请实施例所提供的图1的一种AA’截面图；图3所示为本申请实施例所提供的图2中第二半导体层的一种放大图；图4所示为本申请实施例所提供的图1的另一种AA’截面图；图5所示为本申请实施例所提供的图4中隔离层的一种俯视图；图6所示为本申请实施例所提供的图4中隔离层的另一种俯视图；图7所示为本申请实施例所提供的图1的再一种AA’截面图；图8所示为本申请实施例所提供的图1的又一种AA’截面图；图9所示为本申请实施例所提供的图1的还一种AA’截面图；图10所示为本申请实施例所提供的图9中第一半导体层的一种俯视图；图11所示为本申请实施例所提供的图4中隔离层的再一种俯视图；图12所示为本申请实施例所提供的图9中第一半导体层的另一种俯视图；图13所示为本申请实施例所提供的图2对应的另一种AA’截面图；图14所示为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。现有技术中，光学指纹识别技术一般采用光电二极管作为感光元件，光学指纹识别区域的光电二极管包括有A-si和PolySi，且A-si和PolySi这两层直接搭接，但是当A-si朝向PolySi的一侧表面接触面积过大时，由于膜层之间的接触力较差，会存在A-si和PolySi发生剥离的问题，影响光学指纹识别单元的电学特性。因此，亟待专利技术一种新的光学指纹识别单元的膜层关系结构，以避免光学指纹识别单元易发生膜层剥离的问题。有鉴于此，本专利技术提供了一种阵列基板和显示装置，用以改善指纹识别单元中膜层结构间易发生剥离的问题。图1所示为本申请实施例所提供的阵列基板的一种示意图，图2所示为本申请实施例所提供的图1的一种AA’截面图，图3所示为本申请实施例所提供的图2中第二半导体层的一种放大图，请参照图1-图3，本申请提供了一种阵列基板100，包括衬底基板10和至少一个指纹识别单元01，任一指纹识别单元01均包括在衬底基板10一侧依次设置的第一半导体层11、隔离层13和第二半导体层12；沿垂直于衬底基板10所在平面的方向上，阵列基板100还包括贯穿隔离层13的至少一个第一通孔21，各指纹识别单元01中的第二半导体层12通过至少一个第一通孔21与第一半导体层11相接触；任一指纹识别单元01包括第一区31和环绕第一区31的第二区32，第一通孔21在衬底基板10的正投影位于第一区31，第二半导体层12在衬底基板10的正投影位于第一区31和第二区32；请结合图2和图3，各指纹识别单元01中，第二半导体层12包括靠近第一半导体层11的第一表面41，第二半导体层12的第一表面41位于第一区31的至少部分不与第一半导体层11相接触。请继续参照图1-图3，具体地，本申请提供了一种阵列基板100，包括衬底基板10、以及设置于衬底基板10一侧的指纹识别单元01，任一指纹识别单元01均包括第一半导体层11、隔离层13和第二半导体层12，具体为：隔离层13设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和至少一个指纹识别单元，任一所述指纹识别单元均包括在所述衬底基板一侧依次设置的第一半导体层、隔离层和第二半导体层；/n沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述阵列基板还包括贯穿所述隔离层的至少一个第一通孔，各所述指纹识别单元中的所述第二半导体层通过至少一个所述第一通孔与所述第一半导体层相接触；/n任一所述指纹识别单元包括第一区和环绕所述第一区的第二区，所述第一通孔在所述衬底基板的正投影位于所述第一区，所述第二半导体层在所述衬底基板的正投影位于所述第一区和所述第二区；/n各所述指纹识别单元中，所述第二半导体层包括靠近所述第一半导体层的第一表面，所述第二半导体层的所述第一表面位于所述第一区的至少部分不与所述第一半导体层相接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和至少一个指纹识别单元，任一所述指纹识别单元均包括在所述衬底基板一侧依次设置的第一半导体层、隔离层和第二半导体层；
沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述阵列基板还包括贯穿所述隔离层的至少一个第一通孔，各所述指纹识别单元中的所述第二半导体层通过至少一个所述第一通孔与所述第一半导体层相接触；
任一所述指纹识别单元包括第一区和环绕所述第一区的第二区，所述第一通孔在所述衬底基板的正投影位于所述第一区，所述第二半导体层在所述衬底基板的正投影位于所述第一区和所述第二区；
各所述指纹识别单元中，所述第二半导体层包括靠近所述第一半导体层的第一表面，所述第二半导体层的所述第一表面位于所述第一区的至少部分不与所述第一半导体层相接触。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，与同一所述指纹识别单元对应的所述第一通孔的数量为多个，至少两个所述第一通孔之间不连通。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，与同一所述指纹识别单元对应的所述第一通孔的数量为一个，所述第一半导体层在所述第一区内设有至少一个第二通孔，所述第二通孔使用绝缘材料填充。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：周璐，刘博智，陈国照，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35