一种阵列基板、显示装置和制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示装置和制作方法，以改善现有技术在制作显示器的阵列基板时，需要多道掩膜工艺，存在制作工艺复杂的问题。所述阵列基板，包括：位于所述衬底基板一侧的第一金属层，所述第一金属层包括位于所述显示区的遮光部、源极和漏极；位于所述栅极绝缘层的背离所述有源层一侧的第二金属层，其中，所述第二金属层包括位于所述显示区的栅极、源极搭接电极和漏极搭接电极，所述源极搭接电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层且暴露所述有源层一端的第一过孔与所述有源层和所述源极接触，所述漏极搭接电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层且暴露所述有源层另一端的第二过孔与所述有源层和所述漏极接触。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示装置和制作方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种阵列基板、显示装置和制作方法。
技术介绍
平面显示器(F1atPane1Disp1ay，FPD)己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(LiquidCrysta1Disp1ay，LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittedDiode，OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asmaDisp1ayPane1，PDP)及场发射显示器(FieldEmissionDisplay，FED)等。现有技术在制作显示器的阵列基板时，需要多道掩膜工艺，存在制作工艺复杂的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板、显示装置和制作方法，以改善现有技术在制作显示器的阵列基板时，需要多道掩膜工艺，存在制作工艺复杂的问题。本专利技术实施例提供一种阵列基板，具有显示区以及位于所述显示区外围的非显示区，包括：衬底基板；位于所述衬底基板一侧的第一金属层，所述第一金属层包括位于所述显示区的遮光部、源极和漏极；位于所述第一金属层的背离所述衬底基板一侧的缓冲层；位于所述缓冲层的背离所述第一金属层一侧且位于所述显示区的有源层；位于所述有源层的背离所述缓冲层一侧的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层的背离所述有源层一侧的第二金属层，其中，所述第二金属层包括位于所述显示区的栅极、源极搭接电极和漏极搭接电极，所述源极搭接电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层且暴露所述有源层一端的第一过孔与所述有源层和所述源极接触，所述漏极搭接电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层且暴露所述有源层另一端的第二过孔与所述有源层和所述漏极接触。在一种可能的实施方式中，所述第一过孔在所述栅极绝缘层具有位于所述有源层的背离所述缓冲层一侧的第一分部，以及与所述有源层位于同层的第二分部，所述第一分部在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二分部在所述衬底基板的正投影；所述第二过孔在所述栅极绝缘层具有位于所述有源层的背离所述缓冲层一侧的第三分部，以及与所述有源层位于同层的第四分部，所述第三分部在所述衬底基板的正投影覆盖所述第四分部在所述衬底基板的正投影。在一种可能的实施方式中，所述第一分部包括与所述第二分部接触的第一子分部，以及与所述第一子分部连接的第二子分部，所述第一过孔通过所述第二子分部暴露所述有源层的一端；所述第三分部包括与所述第四分部接触的第三子分部，以及与所述第三子分部连接的第四子分部，所述第二过孔通过所述第四子分部暴露所述有源层的另一端。在一种可能的实施方式中，所述第二子分部与所述有源层接触的一面在平行于第一方向上的长度为3微米～5微米；所述第二子分部与所述有源层接触的一面在平行于所述第一方向上的长度为3微米～5微米；其中，所述第一方向为由所述源极搭接电极指向所述栅极的方向。在一种可能的实施方式中，所述源极搭接电极与所述栅极之间的间隙在平行于所述第一方向上的间距，大于所述源极与所述遮光部之间的间隙在平行于所述第一方向上的间距；所述漏极搭接电极与所述栅极之间的间隙在平行于所述第一方向上的间距，大于所述漏极与所述遮光部之间的间隙在平行于所述第一方向上的间距。在一种可能的实施方式中，所述第一金属层还包括：位于所述非显示区的第一信号线；所述第二金属层还包括位于所述非显示区的第二信号线，其中，所述第二信号线和所述第一信号线通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层的第三过孔导通。在一种可能的实施方式中，所述第一金属层还包括：位于所述显示区沿第二方向延伸的数据线；所述第二金属层还包括：位于所述显示区沿第三方向延伸的栅线。在一种可能的实施方式中，所述阵列基板还包括：位于所述第二金属层的背离所述栅极绝缘层一侧的钝化层；位于所述钝化层的背离所述第二金属层一侧且位于所述显示区的像素电极，其中，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第四过孔与所述漏极搭接电极导通。在一种可能的实施方式中，所述钝化层包括第一钝化层，以及位于所述第一钝化层的背离所述第二金属层一侧的第二钝化层；所述第一钝化层和所述第二钝化层之间具有：位于所述第一钝化层的背离所述第二金属层一侧的有机膜层，所述有机膜层在所述第四过孔所在区域具有过孔；位于所述有机膜层的背离所述第一钝化层一侧且位于所述显示区的公共电极，所述公共电极在所述第四过孔所在区域具有过孔。本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括如本专利技术实施例提供的所述阵列基板。本专利技术实施例还提供一种阵列基板的制作方法，其中，所述阵列基板具有显示区以及位于所述显示区外围的非显示区，包括：采用一次掩膜工艺，在衬底基板的一侧的所述显示区形成包括遮光部、源极、漏极的第一金属层；在所述第一金属层的背离所述衬底基板的一侧形成缓冲层；在所述缓冲层的背离所述第一金属层一侧的所述显示区形成有源层；在所述有源层的背离所述缓冲层的一侧形成栅极绝缘层，并形成贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层且暴露所述有源层一端的第一过孔，以及形成贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层且暴露所述有源层另一端的第二过孔；采用一次掩膜工艺，在所述栅极绝缘层的背离所述有源层一侧的所述显示区形成包括栅极、漏极搭接电极、漏极搭接电极的第二金属层，其中，所述源极搭接电极通过所述第一过孔与所述有源层和所述源极接触，所述漏极搭接电极通过所述第二过孔与所述有源层和所述漏极接触。在一种可能的实施方式中，所述形成贯穿所述栅极绝缘层和所述有源层且暴露所述有源层一端的第一过孔，以及形成贯穿所述栅极绝缘层和所述有源层且暴露所述有源层另一端的第二过孔，包括：采用干刻工艺，同时刻蚀所述栅极绝缘层和所述缓冲层，以形成所述第一过孔和所述第二过孔。在一种可能的实施方式中，在衬底基板一侧的显示区形成遮光部、源极、漏极时，所述制作方法还包括：在所述衬底基板一侧的所述非显示区形成第一信号线，以及在所述衬底基板一侧的所述显示区形成沿第二方向延伸的数据线。在一种可能的实施方式中，在所述栅极绝缘层的背离所述有源层一侧的所述显示区形成栅极、漏极搭接电极、漏极搭接电极时，所述制作方法还包括：在所述栅极绝缘层的背离所述有源层一侧的所述非显示区形成第二信号线，以及，在所述栅极绝缘层的背离所述有源层一侧的所述显示区形成沿第三方向延伸的栅线，其中，所述第二信号线和所述第一信号线通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层的第三过孔导通。在一种可能的实施方式中，在所述栅极绝缘层的背离所述有源层一侧的所述显示区形成包括栅极、漏极搭接电极、漏极搭接电极的第二金属层之后，所述制作方法还包括：在所述第二金属层的背离所述栅极绝缘层的一侧形成钝化层；在所述钝化层的背离所述第二金属层的一侧形成像素电极，其中，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第四过孔与所述漏极搭接电极导通。在一种可能的实施方式中，所述在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，具有显示区以及位于所述显示区外围的非显示区，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n位于所述衬底基板一侧的第一金属层，所述第一金属层包括位于所述显示区的遮光部、源极和漏极；/n位于所述第一金属层的背离所述衬底基板一侧的缓冲层；/n位于所述缓冲层的背离所述第一金属层一侧且位于所述显示区的有源层；/n位于所述有源层的背离所述缓冲层一侧的栅极绝缘层；/n位于所述栅极绝缘层的背离所述有源层一侧的第二金属层，其中，所述第二金属层包括位于所述显示区的栅极、源极搭接电极和漏极搭接电极，所述源极搭接电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层且暴露所述有源层一端的第一过孔与所述有源层和所述源极接触，所述漏极搭接电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层且暴露所述有源层另一端的第二过孔与所述有源层和所述漏极接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，具有显示区以及位于所述显示区外围的非显示区，其特征在于，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板一侧的第一金属层，所述第一金属层包括位于所述显示区的遮光部、源极和漏极；
位于所述第一金属层的背离所述衬底基板一侧的缓冲层；
位于所述缓冲层的背离所述第一金属层一侧且位于所述显示区的有源层；
位于所述有源层的背离所述缓冲层一侧的栅极绝缘层；
位于所述栅极绝缘层的背离所述有源层一侧的第二金属层，其中，所述第二金属层包括位于所述显示区的栅极、源极搭接电极和漏极搭接电极，所述源极搭接电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层且暴露所述有源层一端的第一过孔与所述有源层和所述源极接触，所述漏极搭接电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层且暴露所述有源层另一端的第二过孔与所述有源层和所述漏极接触。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔在所述栅极绝缘层具有位于所述有源层的背离所述缓冲层一侧的第一分部，以及与所述有源层位于同层的第二分部，所述第一分部在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二分部在所述衬底基板的正投影；
所述第二过孔在所述栅极绝缘层具有位于所述有源层的背离所述缓冲层一侧的第三分部，以及与所述有源层位于同层的第四分部，所述第三分部在所述衬底基板的正投影覆盖所述第四分部在所述衬底基板的正投影。


3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一分部包括与所述第二分部接触的第一子分部，以及与所述第一子分部连接的第二子分部，所述第一过孔通过所述第二子分部暴露所述有源层的一端；
所述第三分部包括与所述第四分部接触的第三子分部，以及与所述第三子分部连接的第四子分部，所述第二过孔通过所述第四子分部暴露所述有源层的另一端。


4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二子分部与所述有源层接触的一面在平行于第一方向上的长度为3微米～5微米；
所述第四子分部与所述有源层接触的一面在平行于所述第一方向上的长度为3微米～5微米；
其中，所述第一方向为由所述源极搭接电极指向所述栅极的方向。


5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述源极搭接电极与所述栅极之间的间隙在平行于所述第一方向上的最小间距，大于所述源极与所述遮光部之间的间隙在平行于所述第一方向上的最大间距；
所述漏极搭接电极与所述栅极之间的间隙在平行于所述第一方向上的最小间距，大于所述漏极与所述遮光部之间的间隙在平行于所述第一方向上的最大间距。


6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括：位于所述非显示区的第一信号线；
所述第二金属层还包括位于所述非显示区的第二信号线，其中，所述第二信号线和所述第一信号线通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层的第三过孔导通。


7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括：位于所述显示区沿第二方向延伸的数据线；
所述第二金属层还包括：位于所述显示区沿第三方向延伸的栅线。


8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
位于所述第二金属层的背离所述栅极绝缘层一侧的钝化层；
位于所述钝化层的背离所述第二金属层一侧且位于所述显示区的像素电极，其中，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第四过孔与所述漏极搭接电极导通。


9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层包括第一钝化层，以及位于所述第一钝化层的背离所述第二金属层一侧的第二钝化层；
所述第一钝化层和所述第二钝化层之间具有：
位于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王骏，黄中浩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11