一种背板系统技术方案

本发明专利技术公开了一种背板系统，包括TFT背板，TFT背板包括基板，基板上沉积有缓冲层，缓冲层上沉积第一遮光层和第二遮光层，第一遮光层和第二遮光层上沉积有绝缘层，绝缘层上沉积有两相间设置的第一有源层和第二有源层，第一有源层上形成第一源极和第一漏极，第二有源层上分别形成第二源极和第二漏极，第一有源层和第二有源层上沉积有栅极绝缘层，栅极绝缘层在第一有源层上位置设置有凹陷部，栅极绝缘层上形成有第一栅极和第二栅极，第一栅极置于第一源极和第一漏极之间，第二栅极置于第二源极和第二漏极之间；本发明专利技术的背板系统，具有良好的防水气能力，用以改善薄膜晶体管质量。

【技术实现步骤摘要】
一种背板系统
本专利技术属于显示领域，更具体的说涉及一种背板系统。
技术介绍
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有的平面显示装置主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)。有机发光二极管显示器件(OLED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造较简单等优异特性，正被大力推广。在有机发光二极管显示器件(OLED)中，薄膜晶体管(TFT)驱动有机发光二极管发光，进而显示相应的画面。可见，薄膜晶体管(TFT)是有机发光二极管显示器件(OLED)中的关键部件，薄膜晶体管(TFT)直接决定有机发光二极管显示器件(OLED)的质量。现有技术中，薄膜晶体管(TFT)在使用中会出现水汽等问题，严重影响有机发光二极管显示器件质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种背板系统，提供一种具有防水气的TFT背板系统，用以改善薄膜晶体管质量。本专利技术技术方案一种背板系统，包括TFT背板，所述TFT背板包括基板，所述基板上沉积有缓冲层，所述缓冲层上沉积第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和第二遮光层上沉积有绝缘层，所述绝缘层上沉积有两相间设置的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层包括中间的第一导电沟和设置在第一导电沟两端的第一导电部，两所述第一导电部上分别形成第一源极和第一漏极，所述第二有源层包括中间的第二导电沟和设置在第二导电沟两端的第二导电部，两所述第二导电部上分别形成第二源极和第二漏极，所述第一有源层和第二有源层上沉积有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在第一有源层上位置设置有凹陷部，所述栅极绝缘层上形成有第一栅极和第二栅极，所述第一栅极置于第一源极和第一漏极之间，所述第二栅极置于第二源极和第二漏极之间，所述栅极绝缘层上沉积有绝缘层，所述绝缘层上沉积有钝化层。优选地，所述基板为玻璃基板，在玻璃基板上涂覆有黄色的聚酰亚胺薄膜，所述缓冲层沉积在黄色的聚酰亚胺薄膜上。优选地，所述缓冲层包括依次沉积的氮化硅薄膜、氧化硅薄膜和氧化铝薄膜，所述氮化硅薄膜和氧化硅薄膜厚度为所述氧化铝薄膜厚度为优选地，所述第一有源层和第二有源层分别设于所述第一遮光层和第二遮光层上方。优选地，所述钝化层采用氧化硅或氮化硅材料，厚度为在钝化层上设置有两过孔，所述第一漏极和第二漏极分别由两过孔位置暴露出来。本专利技术技术方案的一种背板系统的有益效果是：通过增加缓冲层，使得TFT背板具有良好的防水汽能力。附图说明图1为本专利技术技术方案的一种背板系统结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。本专利技术的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本专利技术限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本专利技术的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本专利技术从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。如图1所示，本专利技术技术方案一种背板系统，包括TFT背板，TFT背板包括基板1。基板1为玻璃基板，在玻璃基板上涂覆有黄色的聚酰亚胺薄膜。黄色的聚酰亚胺薄膜具有良好的耐热性，实用黄色的聚酰亚胺薄膜涂覆在玻璃基板上，提高玻璃基板的耐热性，使得玻璃基本具有一定的隔热性。在基板1上沉积有缓冲层2。缓冲层2包括依次沉积的氮化硅薄膜21、氧化硅薄膜22和氧化铝薄膜23。氮化硅薄膜21和氧化硅薄膜22厚度均为氧化铝薄膜23厚度为氮化硅薄膜21的设置，增加缓冲层2的防水性能，且氮化硅薄膜21的附着性好，不易剥落，使得氮化硅薄膜21与黄色的聚酰亚胺薄膜之间具有良好的粘附性，提高缓冲层2的沉积效果。氧化铝薄膜23质地致密，能够填充一切具有一定缺陷的区域，覆盖性强，提高缓冲层2的氮化硅薄膜21的阻水效果，使得缓冲层2具有良好的防水汽能力。缓冲层2上沉积第一遮光层3和第二遮光层31，即在缓冲层2上沉积遮光薄膜并以光罩(Mask)为工具进行图案化处理，形成第一遮光层3和第二遮光层31。第一遮光层3和第二遮光层31均采用金属钼等不透光金属遮光膜材料。第一遮光层3和第二遮光层31分别用于遮挡其上方的第一有源层5和第二有源层10。在第一遮光层3和第二遮光层31上沉积有绝缘层4。绝缘层4上沉积有两相间设置的第一有源层5和第二有源层10。绝缘层4为金属氧化膜。第一有源层5包括中间的第一导电沟和设置在第一导电沟两端的第一导电部。两第一导电部上分别形成第一源极143和第一漏极144。第二有源层10包括中间的第二导电沟102和设置在第二导电沟102两端的第二导电部101。两第二导电部101上分别形成第二源极141和第二漏极142。上述技术方案中，第一有源层5、第一源极143和第一漏极144形成开关薄膜晶体管，第二有源层10、第二源极141和第二漏极142形成驱动薄膜晶体管。开关薄膜晶体管用于控制驱动薄膜晶体管的开闭，通过驱动薄膜晶体管在饱和状态时产生的电流驱动有机发光二级管发光，通过向驱动薄膜晶体管输入不同的灰阶电压产生不同的驱动电流实现面板灰阶控制。驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅(S因子)将直接影响显示面板的灰阶切换性能。亚阈值摆幅是衡量晶体管开启与关断状态之间相互转换速率的性能指标，它代表源漏电流变化十倍所需要栅电压的变化量，一般地亚阈值摆幅(S因子)越小意味着灰阶开启关断速率越快。第一有源层5和第二有源层10上沉积有栅极绝缘层6，栅极绝缘层6在第一有源层5上位置设置有凹陷部11。凹陷部11的设置，使得对应于驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层6的厚度小于对应于驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度。在栅极绝缘层6上形成厚度差，相比较现有技术中先后制作两层栅极绝缘层的方法，简化了TFT背板的制作流程，减少了制作工艺数量，在保证开关薄膜晶体管的栅极绝缘层6厚度不变的同时降低加了驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度，降低了驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提高了AMOLED面板的灰阶切换与控制性能。栅极绝缘层6上形成有第一栅极12和第二栅极13，第一栅极12置于第一源极143和第一漏极144之间。第二栅极13置于第二源极141和第二漏极142之间。栅极绝缘层6上沉积有绝缘层7，绝缘层7上沉积有钝化层8。钝化层8采用氧化硅或氮化硅材料，厚度为在钝化层8上设置有两过孔9，第一漏极144和第二漏极142分别由两过孔位置暴露出来。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本专利技术保护的范围。本专利技术中未具体描述和解释说明的结构、装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背板系统，包括TFT背板，其特征在于，所述TFT背板包括基板，所述基板上沉积有缓冲层，所述缓冲层上沉积第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和第二遮光层上沉积有绝缘层，所述绝缘层上沉积有两相间设置的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层包括中间的第一导电沟和设置在第一导电沟两端的第一导电部，两所述第一导电部上分别形成第一源极和第一漏极，所述第二有源层包括中间的第二导电沟和设置在第二导电沟两端的第二导电部，两所述第二导电部上分别形成第二源极和第二漏极，所述第一有源层和第二有源层上沉积有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在第一有源层上位置设置有凹陷部，所述栅极绝缘层上形成有第一栅极和第二栅极，所述第一栅极置于第一源极和第一漏极之间，所述第二栅极置于第二源极和第二漏极之间，所述栅极绝缘层上沉积有绝缘层，所述绝缘层上沉积有钝化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种背板系统，包括TFT背板，其特征在于，所述TFT背板包括基板，所述基板上沉积有缓冲层，所述缓冲层上沉积第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和第二遮光层上沉积有绝缘层，所述绝缘层上沉积有两相间设置的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层包括中间的第一导电沟和设置在第一导电沟两端的第一导电部，两所述第一导电部上分别形成第一源极和第一漏极，所述第二有源层包括中间的第二导电沟和设置在第二导电沟两端的第二导电部，两所述第二导电部上分别形成第二源极和第二漏极，所述第一有源层和第二有源层上沉积有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在第一有源层上位置设置有凹陷部，所述栅极绝缘层上形成有第一栅极和第二栅极，所述第一栅极置于第一源极和第一漏极之间，所述第二栅极置于第二源极和第二漏极之间，所述栅极绝缘层上沉积有...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡清洋，
申请(专利权)人：合肥领盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34