阵列基板及其制作方法技术

本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：柔性基板；依次设置于所述柔性基板上的有源层图案、栅极绝缘层图案、栅极图案以及层间介质层图案；其中，所述层间介质层图案包括第一层间介质层图案和设置在所述第一层间介质层图案上的第二层间介质层图案，所述第一层间介质层图案的材料为无机材料，所述第二层间介质层图案的材料为有机材料。该方案能够有效减少阵列基板中的无机膜层，提高阵列基板的耐弯折性，避免裂纹产生。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法
本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
随着显示面板尺寸的不断增大，驱动频率的不断提高，传统非晶硅薄膜晶体管的电子迁移率(迁移率为单位电场下电子的平均漂移速度，可以理解为导电能力)很难满足需求，而且均一性差。相比之下，氧化物半导体薄膜晶体管逐渐受到业界广泛关注，特别是在柔性显示面板领域显示出了巨大的应用前景。但是，柔性显示面板中的无机膜层在弯折时产生的应力过大，使得氧化物半导体薄膜晶体管中的功能膜层极易出现裂纹，导致器件电性下降，从而影响显示效果。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板及其制作方法，以解决柔性显示面板在弯折过程中，氧化物半导体薄膜晶体管中的功能膜层易出现裂纹，导致器件电性下降，从而影响显示效果的技术问题。本申请提供一种阵列基板，其包括：柔性基板；依次设置于所述柔性基板上的有源层图案、栅极绝缘层图案、栅极图案以及层间介质层图案；其中，所述层间介质层图案包括第一层间介质层图案和设置在所述第一层间介质层图案上的第二层间介质层图案，所述第一层间介质层图案的材料为无机材料，所述第二层间介质层图案的材料为有机材料。在本申请提供的阵列基板中，所述第一层间介质层图案覆盖所述有源层图案、所述栅极绝缘层图案以及所述栅极图案；所述第二层间介质层图案覆盖所述第一层间介质层图案以及所述柔性基板。在本申请提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括缓冲层图案，所述缓冲层图案设置在所述柔性基板与所述有源层图案之间；>所述第一层间介质层图案与所述缓冲层图案形成一密封腔，所述栅极图案、所述栅极绝缘层图案以及所述有源层图案位于所述密封腔内。在本申请提供的阵列基板中，所述第一层间介质层图案在所述柔性基板上的投影与所述缓冲层图案在所述柔性基板上的投影重合。在本申请提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括依次设置在所述层间介质层图案上的源漏极图案以及钝化层，所述源漏极图案包括源极和漏极；所述阵列基板上设置有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔均贯穿所述第一层间介质层图案以及所述第二层间介质层图案；所述源极通过所述第一过孔与所述有源层图案连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层图案连接；其中，所述钝化层的材料为有机材料。在本申请提供的阵列基板中，所述第一层间介质层图案的厚度小于所述第二层间介质层图案的厚度。在本申请提供的阵列基板中，所述第一层间介质层图案的材料与所述缓冲层图案的材料相同。在本申请提供的阵列基板中，所述栅极图案在所述柔性基板上的投影与所述栅极绝缘层图案在所述柔性基板上的投影重合。在本申请提供的阵列基板中，所述第一层间介质层图案的厚度为50纳米至100纳米。相应的，本申请还提供一种阵列基板的制作方法，其包括：提供一柔性基板；在所述柔性基板上依次形成有源层图案、栅极绝缘层图案以及栅极图案；在所述有源层图案、所述栅极绝缘层图案、所述栅极图案以及所述柔性基板上形成层间介质层图案，所述层间介质层图案包括第一层间介质层图案和设置在所述第一层间介质层图案上的第二层间介质层图案，所述第一层间介质层图案的材料为无机材料，所述第二层间介质层图案的材料为有机材料。本申请提供一种阵列基板，其包括柔性基板和依次设置于所述柔性基板上的有源层图案、栅极绝缘层图案、栅极图案以及层间介质层图案；其中，所述层间介质层图案包括第一层间介质层图案和设置在所述第一层间介质层图案上的第二层间介质层图案，通过设置第一层间介质层图案的材料为无机材料，第二层间介质层图案的材料为有机材料，能够有效减少阵列基板中的无机膜层，提高阵列基板的耐弯折性，避免裂纹产生。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请提供的阵列基板的第一结构示意图；图2是本申请提供的阵列基板的第二结构示意图；图3是本申请提供的阵列基板的第三结构示意图；图4是本申请提供的阵列基板的第四结构示意图；图5是本申请提供的阵列基板的第五结构示意图；图6是是本申请提供的阵列基板的制作方法的流程示意图；图7A-图7H是本申请提供的阵列基板的制作方法的具体过程。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征，因此不能理解为对本申请的限制。请参阅图1，图1是本申请提供的阵列基板的第一结构示意图。如图1所示，阵列基板包括：柔性基板10；依次设置于柔性基板10上的有源层图案20、栅极绝缘层图案30、栅极图案40以及层间介质层图案50；其中，层间介质层图案50包括第一层间介质层图案51和设置在第一层间介质层图案51上的第二层间介质层图案52；第一层间介质层图案51的材料为无机材料；第二层间介质层图案52的材料为有机材料。其中，柔性基板10可以是PI柔性基板(聚酰亚胺薄膜，PolyimideFilm)。柔性基板10可以由一层或多层PI柔性基板构成。有源层图案20的材料可以是氧化铟镓锌或氧化铟锌等金属氧化物半导体材料。栅极绝缘层图案30的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或二氧化硅等无机材料中的一种或多种，以起到绝缘保护的作用。栅极绝缘层图案30的材料也可以是其他具有绝缘作用的有机材料，能够进一步减少阵列基板中的无机膜层。栅极图案40的材料可以是钼、铜以及铝等具有优异导电性的金属材料。其中，第一层间介质层图案51的材料可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材料中的一种或多种，用于隔绝水氧，起到绝缘并保护其他功能膜层的作用。第二层间介质层图案50的材料可以是丙烯酸树脂、聚碳酸脂以及聚苯乙烯等有机材料中的一种或多种，用于缓释第一层间介质层图案51产生的应力，进而增强阵列基板的耐弯折性，避免裂纹产生。本实施例提供的阵列基板包括柔性基板10和依次设置于柔性基板10上的有源层图案20、栅极绝缘层图案30、栅极图案40以及层间介质层图案50；其中，层间介质层图案50包括第一层间介质层图案51和设置在第一层间介质层图案51上的第二层间介质层图案52；通过将第一层间介质层图案51设置为无机材料，第二层间介质层图案52设置为有机材料，相较于现有技术中层间介质层图案50的材料均为无机材料，有效减少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n柔性基板；/n依次设置于所述柔性基板上的有源层图案、栅极绝缘层图案、栅极图案以及层间介质层图案；其中，/n所述层间介质层图案包括第一层间介质层图案和设置在所述第一层间介质层图案上的第二层间介质层图案，所述第一层间介质层图案的材料为无机材料，所述第二层间介质层图案的材料为有机材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
柔性基板；
依次设置于所述柔性基板上的有源层图案、栅极绝缘层图案、栅极图案以及层间介质层图案；其中，
所述层间介质层图案包括第一层间介质层图案和设置在所述第一层间介质层图案上的第二层间介质层图案，所述第一层间介质层图案的材料为无机材料，所述第二层间介质层图案的材料为有机材料。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一层间介质层图案覆盖所述有源层图案、所述栅极绝缘层图案以及所述栅极图案；所述第二层间介质层图案覆盖所述第一层间介质层图案以及所述柔性基板。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括缓冲层图案，所述缓冲层图案设置在所述柔性基板与所述有源层图案之间；
所述第一层间介质层图案与所述缓冲层图案形成一密封腔，所述栅极图案、所述栅极绝缘层图案以及所述有源层图案位于所述密封腔内。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一层间介质层图案在所述柔性基板上的投影与所述缓冲层图案在所述柔性基板上的投影重合。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置在所述层间介质层图案上的源漏极图案以及钝化层，所述源漏极图案包括源极和漏极；
所述阵列基板上设置有第一过...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟玉浩，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44