RTP机台滚珠上顶环润滑方法技术

本发明专利技术公开了一种RTP机台滚珠上顶环润滑方法，一种RTP机台滚珠上顶环润滑方法，所述机台的晶圆承台由滚珠上顶环、滚珠轴承以及隔块、滚珠下底环所组成的承托结构承托；所述滚珠轴承以及隔块位于滚珠上顶环与滚珠下底环之间，在晶圆承台承托结构的滚珠上顶环的沟槽中均匀涂抹润滑剂。本发明专利技术在滚珠上顶环与滚珠轴承的滚珠接触的沟槽内涂抹润滑剂，更大的接触面积能保证润滑剂充分润滑滚珠上顶环与滚珠之间的接触，改善滚珠上顶环与滚珠之间的润滑状态，使滚珠上顶环承托着晶圆承台更平顺均匀地转动，降低晶圆承台转动不均而导致晶圆背面被划伤的风险。

【技术实现步骤摘要】
RTP机台滚珠上顶环润滑方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是指一种在RTP工艺中采用的RTP机台的滚珠上顶环润滑方法。
技术介绍
在晶圆制造的工艺过程中，经常要使用到高温工艺，比如淀积薄膜，或者是离子注入之后的高温热退火等等。离子注入后的杂质在高温下的存在再分布问题。对于小尺寸器件，这种再分布经常是很不希望的，因此近年来人们已经把重点放在可以将扩散减至最小的低温工艺上了。但是，有一些工艺，如注入后的退火，在低温下的效果不如高温时那样有效，如果达不到高温，某些类型的注入损伤不能被退火消除。另外，为完全激活某些杂质所需的退火温度至少要达到1000℃。另一种减少扩散的方法是在同样的温度下缩短时间。标准的炉管退火工艺难以适应短时间的退火，因为在炉管中的圆片是从边缘开始向中心加热的，为避免圆片上存在过大的温度梯度而造成圆片翘曲变形，这些圆片必须缓慢地升温和降温。因此，即使可以缩短退火时间，但长时间的升温和降温也会造成明显的扩散。与此同时，人们已经开始更重视那些一次只加工一片圆片而不是成批圆片的工艺。特别是对于大尺寸圆片的加工，这些单片工艺可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RTP机台滚珠上顶环润滑方法，所述机台的晶圆承台由滚珠上顶环、滚珠轴承以及隔块、滚珠下底环所组成的承托结构承托；所述滚珠轴承以及隔块位于滚珠上顶环与滚珠下底环之间，其特征在于：在晶圆承台承托结构的滚珠上顶环的沟槽中均匀涂抹润滑剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种RTP机台滚珠上顶环润滑方法，所述机台的晶圆承台由滚珠上顶环、滚珠轴承以及隔块、滚珠下底环所组成的承托结构承托；所述滚珠轴承以及隔块位于滚珠上顶环与滚珠下底环之间，其特征在于：在晶圆承台承托结构的滚珠上顶环的沟槽中均匀涂抹润滑剂。


2.如权利要求1所述的RTP机台滚珠上顶环润滑方法，其特征在于：所述的滚珠上顶环、滚珠轴承以及隔块、滚珠下底环由马达驱动进行旋转，再带动上部晶圆承台旋转；晶圆放置于晶圆承台上，同步旋转，结合晶圆上方的加热灯管，旋转的晶圆能均匀受热。


3.如权利要求1所述的RTP机台滚珠上顶环润滑方法，其特征在于：所述的滚珠上顶环与滚珠轴承的滚珠接触，所述的滚珠下底环与滚珠轴承的滚珠接触；所述滚珠下底环与滚珠的接触面积小于滚珠上顶环与滚珠的接触面积。


4.如权利要求1所述的RTP机台滚珠上顶环润滑方法，其特征在于：所述的滚珠上顶环具有比滚珠下底环更大的缝隙用...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘春蒙，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31