【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在印刷基板、半导体封装基板或半导体基板等半导体产品中设置的通路孔和沟槽中,通过电镀铜填充铜金属时使用的。另外,本申请基于特许申请2003年第082037号和2003年第350544号,其内容包括在本申请中。
技术介绍
在电镀铜液中,通常使用添加剂。添加剂包括促进剂和抑制剂,通过在镀液中进行添加,通路孔底部的镀覆得到促进,通路孔外侧的镀覆得到抑制,从而在通路孔内可以通过镀覆进行填充。为了产生这样的现象,必须保证促进剂和抑制剂作用的平衡,添加剂成分的浓度控制是重要的。作为添加剂的浓度控制,提出的一种方法是CV(循环伏安法)(例如,参照R.Haak,C.Ogdan,D.TenchPlating 64(4),1981年4月)。CV分析的基础是在镀液中的惰性电极中施加电压,如果直线扫描电位,添加剂会改变铜析出反应的极化,结果对析出铜的量产生影响。由于测定的镀铜的析出量与流向惰性电极的电量成比例,通过测定该电量,可以对添加剂改变极化的效果进行评价。使用该概念的方法是CVS(循环伏安剥离)。通过使电位周期性变化,在电极表面上反复进行铜的镀覆和剥离,作为镀覆 ...
【技术保护点】
一种电镀铜液的分析方法,该方法是含有添加剂的电镀铜液的分析方法,其特征在于,通过测定阴极电流密度为0.1-20A/dm↑[2]时电位的随时间的变化,判断该电镀铜液的填充性。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:大久保利一,直井克巧,水野由香,
申请(专利权)人:凸版印刷株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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