【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种应用X射线衍射原理为单晶材料探测的光机电一体化测试系统,尤其是一种X射线回摆曲线测定系统。
技术介绍
随着科技进步,近几十年来各种半导体、激光晶体等单晶材料得到了很大发展。而单晶材料生长的质量、完美程度将决定晶体及其制成器件的性质。因此,如何探测晶体缺陷,进而控制和提高晶体材料生长和加工质量,已成为非常重要的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的就在于提供一套能够探测单晶材料缺陷的检测系统。该系统通过小功率X射线管发生的X射线,经过单色器和计算机软件处理后,能够获得Kα1单一谱线下的单晶材料回摆曲线,通过该回摆曲线确定晶体的缺陷。采用的技术方案是X射线回摆曲线测定系统,包括X射线发生器、衍射线控测器、晶片样品旋转台及计算机控制系统;所述的X射线发生装置中设置有X射线管和单色器,X射线管的出口射线以布拉格θ角照射在直立的单色器上,去掉Kβ及连续谱线,剩下的较单色化的Kα射线照射在晶片样品旋转台上的被测晶片上,并在被测晶片中心交于一点,产生晶片衍射光线,晶片衍射光线被X射线探测器接收;所述的计算机系统,包括数据采集器、工业用PC机、打印机及应用软件;所述控测器的输出信号经数据采集器后进入工业用PC机,由应用软件进行去掉Kα2谱线处理后得到样品晶片的回摆曲线。上述的晶片样品旋转台由一步进电机借助精密蜗轮副减速带动,步进电机由工业用PC机的输出信号经一控制器予以控制。上述的X射线发生器中的X射线管为30KV·1mA,铜靶X射线管。上述的采集器模拟量采样频率不小于3600次/秒。本专利技术具有不破坏样品、无污染、快捷、测量精度高等优点。附图说明图 ...
【技术保护点】
X射线回摆曲线测定系统,包括X射线发生器、衍射线控测器、晶片样品旋转台及计算机控制系统;其特征在于所述的X射线发生装置中设置有X射线管和单色器,X射线管的出口射线以布拉格θ角照射在直立的单色器上,去掉K↓[β]及连续谱线,剩下的较单色化的K↓[α]射线照射在晶片样品旋转台上的被测晶片上,并在被测晶片中心交于一点,产生晶片衍射光线,晶片衍射光线被X射线探测器接收;所述的计算机系统,包括数据采集器、工业用PC机、打印机及应用软件;所述控测器的输出信号经数据采集器后进入工业用PC机,由应用软件进行去掉K↓[α2]谱线处理后得到样品晶片的回摆曲线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:关守平,赵久,
申请(专利权)人:关守平,赵久,
类型:发明
国别省市:89[中国|沈阳]
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