【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装散热结构
本技术涉及集成电路封装
,特别涉及一种芯片封装散热结构。
技术介绍
新一代高密度芯片封装工艺将多种不同材质、不同功能的芯片实现整合,在一个微小体积的封装结构内实现完整系统功能。随着集成密度的提高,特别是大量高功率射频芯片和高速处理芯片的集成,会在微小的集成空间内产生大量热量。由于芯片嵌入在散热能力不良的有机材料内部,造成热量无法快速散出,这会导致封装结构内温度急剧上升,进而导致芯片烧毁,互连金属熔化,热失配破坏等封装失效,造成系统性能下降,甚至完全失效。现有的高密度芯片封装的散热方法是使用冷板和热沉贴在封装结构背面,将热量传递到系统环控或空气中,但这种散热结构与芯片不直接接触,中间隔着封装基板和外壳,由于封装基板热导率低,多层材料界面热阻大,热量不能及时高效地传递出来,造成封装结构散热能力差的不良影响,进而导致封装可靠性差,影响使用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种芯片封装散热结构,以解决现有的封装结构散热效率低、导致封装可靠性差的问题。为解决上述技术问题, ...
【技术保护点】
1.一种芯片封装散热结构,其特征在于,包括:/n硅衬底(11),所述硅衬底(11)正面刻蚀有散热槽(12),背面刻蚀有芯片槽(13);所述散热槽(12)和所述芯片槽(13)连通;/n芯片(14),安装在所述芯片槽(13)中;/n插入层(15),具有电互连功能,制造在所述硅衬底(11)的底部;/n焊球(16),制造在所述插入层(15)表面。/n
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装散热结构,其特征在于,包括:
硅衬底(11),所述硅衬底(11)正面刻蚀有散热槽(12),背面刻蚀有芯片槽(13);所述散热槽(12)和所述芯片槽(13)连通;
芯片(14),安装在所述芯片槽(13)中;
插入层(15),具有电互连功能,制造在所述硅衬底(11)的底部;
焊球(16),制造在所述插入层(15)表面。
2.如权利要求1所述的芯片封装散热结构,其特征在于,所述芯片(14)背面与所述芯片槽(13)底面平齐,所述芯片(14)正面与所述芯片槽(13)开口面平齐。
3.如权利要求1所述的芯片封装散热结构,其特征在于,所述芯片(14...
【专利技术属性】
技术研发人员:王刚,夏晨辉,李杨,王成迁,朱家昌,浦杰,王波,
申请(专利权)人:中科芯集成电路有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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