【技术实现步骤摘要】
多光敏区光控晶闸管芯片的陶瓷管壳全压接封装结构
本技术属于电力电子器件制造
，是一种新型电力电子器件——特大功率光控晶闸管的封装结构，特别是多光敏区光控晶闸管芯片的陶瓷管壳全压接封装结构。
技术介绍
光控晶闸管区别于利用电信号触发的电控晶闸管而采用光信号触发，特点在于采用光触发时光信号产生方便、传输距离长、触发响应快、抗电磁干扰、控制灵活等，功率回路和控制回路用光来结合容易绝缘，触发装置小型化，在工程的串并联应用中比电控晶闸管具有显著优势。目前国内外光控晶闸管以6英寸4000A/8500V为例，di/dt耐量一般为1300A/μs，不能满足脉冲和高频电力电子装置的应用需求。为进一步提高器件的di/dt耐量，新型多光敏区光控晶闸管(见附图1和附图2)将原光控晶闸管的一个光敏区和一组放大门极触发机制变换为四个光敏区和四个放大门极机制，将它们集成在同一个半导体芯片上，在平面分部上由此前的触发区1个中心布局改为4个圆周均分布局的结构。单一光敏区光控晶闸管将触发机构与芯片作为两个部分来设计，即陶瓷管壳只用于封装芯片，管壳...
【技术保护点】
1.一种多光敏区光控晶闸管芯片的陶瓷管壳全压接封装结构，包括多光敏区光控晶闸管芯片(1)、上钼片(31)、下钼片(32)、银片(35)、阳极管壳座(5)、阴极管壳盖(6)、一对四分光器连接器(17)、分光器内连接压接件(8)、集束分光器(30)、1#激光头(13)、2#激光头(14)、3#激光头(15)、4#激光头(16)，多光敏区光控晶闸管芯片(1)上设有排列在同心圆上间隔90°的1～4#光敏触发区(3)，每个光敏触发区连接放大门极(4)，管壳壳体采用陶瓷管壳，其特征在于：管壳包括阴极管壳盖(6)和阳极管壳座(5)两部分，阳极管壳座(5)一端为整个器件的阳极，阴极管壳盖(...
【技术特征摘要】
1.一种多光敏区光控晶闸管芯片的陶瓷管壳全压接封装结构，包括多光敏区光控晶闸管芯片(1)、上钼片(31)、下钼片(32)、银片(35)、阳极管壳座(5)、阴极管壳盖(6)、一对四分光器连接器(17)、分光器内连接压接件(8)、集束分光器(30)、1#激光头(13)、2#激光头(14)、3#激光头(15)、4#激光头(16)，多光敏区光控晶闸管芯片(1)上设有排列在同心圆上间隔90°的1～4#光敏触发区(3)，每个光敏触发区连接放大门极(4)，管壳壳体采用陶瓷管壳，其特征在于：管壳包括阴极管壳盖(6)和阳极管壳座(5)两部分，阳极管壳座(5)一端为整个器件的阳极，阴极管壳盖(6)一端为器件的阴极，阴极管壳盖(6)中心设有阴极管壳导电铜块(29)，阴极管壳盖(6)周围设有阴极管壳冷压焊金属层(28)；阳极管壳座(5)周围是阳极管壳陶瓷壳体(25)，阳极管壳陶瓷壳体(25)上沿设有阳极管壳冷压焊金属层(26)，阳极管壳座(5)底部中心设有阳极管壳导电铜块(24)，分别将下钼片(32)、芯片(1)、银片(35)、上钼片(31)依次从下至上放入阳极管壳座(5)中，然后盖上阴极管壳盖(6)，将这一组合体通过冷焊模具在压力机的作用下将阳极管壳座(5)与阴极管壳盖(6)冷压焊接在一体；上钼片(31)上设有四个窗口(37)对准多光敏区光控晶闸管芯片(1)上的四个光敏触发区(3)，在阳极管壳陶瓷壳体(25)的侧位设置有控制极脉冲光触发信号引入装置一对四分光器连接器(17)，一对四分光器连接器(17)通过分光器内连接压接件(8)连接集束分光器(30)，集束分光器(30)一端设有集束光纤接受端(9)，集束光纤接受端(9)外部为集束分光器不锈钢外壳(18)，内部中心位置设有四根集束分光器接收光纤(19)并通过接受器内树脂填充物(20)固定，四根光纤芯从不锈钢外壳(18)引出成独立的四只光纤(7)，光纤(7)端头设有便于固定安装的1#～4#激光头(13、14、15、16)，1#～4#激光头(13、14、15、16)通过上钼片(31)上的四个窗口(37)可靠地对准芯片的光敏触发区(3)中心位置，一对四分光器连接器(17)内部通过分光器将一路光信号分配至四个光敏区，分光器能够均匀分配光能量；集束光纤接受端(9)深入一对四分光器连接器(17)的一端内孔中，利用分光器内连接压接件(8)螺纹压紧连接，一对四分光器连接器(17)另一端外部连接单芯光纤输入端(...
【专利技术属性】
技术研发人员：马宁强，乔旭，秦浩，
申请(专利权)人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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