用于在半导体加工系统中检测目标气体物质的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于检测目标气体物质的气体检测器和方法，该气体物质如在包含含氟物质的气体中的含氟物质，例如，经受ＨＦ、ＮＦ↓［３］等蚀刻清洗的半导体加工工具的排放物。一方面，气体检测器采用对含氟物质敏感的含镍丝，其可以起传感部件的作用以及当需要高温检测时起热源的作用。一方面，气体检测器采用可以垂直安装在支承结构上的细长气体传感元件。这种细长气体传感元件在支承结构上的垂直安装可显著改善信号强度、减少响应时间、使气体检测器的覆盖区减至最低程度、以及为适应这种气体传感元件的热膨胀／收缩提供结构柔性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及用于检测目标气体物质的装置和方法，其可用于监测半导体加工操作中的气体化合物和离子物质。
技术介绍
在制造半导体装置中，沉积硅(Si)和二氧化硅(SiO2)、以及其后的蚀刻是重要的操作步骤，其目前包括8-10个步骤或总制造工艺的大约25％。每个沉积工具和蚀刻工具必须经受周期性清洗步骤，有时每次都要运行，以便确保均匀和一致的膜性能。目前，在蚀刻操作中，当规定量的时间过去时则达到蚀刻终点。过蚀刻，其中加工气体在完成清洁蚀刻以后继续流入反应室，是普遍的并导致更长的加工周期、减少的工具寿命、以及不必要的全球变暖气体排入大气(Anderson，B.；Behnke，J.；Berman，M.；Kokeissi，H.；Huling，B.；Langan，J.；Lynn，S-Y.，Semiconductor International，October(1993))。当在半导体装置结构中使用SiN时，在氮化硅材料的蚀刻中存在类似的问题。各种分析技术，如FTIR、发光光谱、以及电离质谱，可以用来监测蚀刻过程。然而，这些技术往往是昂贵的，并且由于其复杂性经常需要专业操作者。因此提供可靠的、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体传感器组件，包括含有镍或镍合金的气敏丝、以及用于检测在与目标气体物质接触时所述气敏丝的至少一种性能的变化以及响应地产生表示存在所述目标气体物质的输出信号的装置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世辉，陈英欣，小弗朗克迪梅奥，杰弗里W纽纳，詹姆斯韦尔奇，杰弗里F罗德，
申请(专利权)人：高级技术材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]