一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法技术

本发明专利技术公开一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，包括步骤：第一步，对电路进行混合三维布局，获得粗略分层结果，同时产生硅通孔；第二步，根据混合三维布局的结果进行混合二维布局，获得精确布局结果；第三步，根据获得的精确布局结果，对宏单元进行合法化，减小宏单元与其他单元的重叠，然后固定宏单元；第四步，对标准单元进行三维布局；第五步，对标准单元进行二维布局；第六步，完成三维集成电路的详细布局，获得最终优化布局结果。本发明专利技术在芯片物理设计中，采用更好的布局算法，得到一个硅通孔数量更少，提高芯片性能，同时也会提高芯片制作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法
本专利技术属于电路布局
，特别是涉及一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法。
技术介绍
三维集成电路作为克服现代以及下一代集成电路高复杂度，高互连性的理想解决方案之一。同时，三维集成电路可以很有效地减少互连线长以及提高电路性能。然而，硅通孔作为三维集成电路中关键技术，用于连接三维集成电路中不同的层，也带来了许多问题。在当前的技术下，硅通孔相对于互连金属线而言，是非常大的。因此大量的硅通孔将占据很大的硅片面积，从而导致最终的芯片产量受到影响。另外，硅通孔通常是占据标准单元或者宏单元之间的空白块，因此会影响布线资源，同时会间接地增大芯片面积。现有的技术主要有2种，一种是通过三维芯片与二维芯片的面积差来估算出三维芯片中需要的硅通孔(TSV)最大数目，然后将TSV插入原有的布局中，以此来达到三维集成电路的布局。这种方法操作性上比较简单，但是经我们实验，它还是过多地增加了TSV的数量，所以通过估计TSV的数量相对粗糙，同时该方法也没有在布局过程中考虑TSV的真实体积。第二种方法是通过在布局过程中预留TSV本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，其特征在于，包括步骤：/n第一步，对电路进行混合三维布局，获得粗略分层结果，同时产生硅通孔；/n第二步，根据混合三维布局的结果进行混合二维布局，获得精确布局结果；/n第三步，根据获得的精确布局结果，对宏单元进行合法化，减小宏单元与其他单元的重叠，然后固定宏单元；/n第四步，对标准单元进行三维布局；/n第五步，对标准单元进行二维布局；/n第六步，完成三维集成电路的详细布局，获得最终优化布局结果。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，其特征在于，包括步骤：
第一步，对电路进行混合三维布局，获得粗略分层结果，同时产生硅通孔；
第二步，根据混合三维布局的结果进行混合二维布局，获得精确布局结果；
第三步，根据获得的精确布局结果，对宏单元进行合法化，减小宏单元与其他单元的重叠，然后固定宏单元；
第四步，对标准单元进行三维布局；
第五步，对标准单元进行二维布局；
第六步，完成三维集成电路的详细布局，获得最终优化布局结果。


2.根据权利要求1所述的一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，其特征在于，在第一步中，通过将标准单元以及宏单元进行混合三维布局，使原本在一层的单元进行分离，产生粗略的分层结果；同时因为有分层，所以间接产生出了硅通孔，并对硅通孔进行初始化。


3.根据权利要求2所述的一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，其特征在于，在第二步中，对第一步中分离...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞文心，程鑫，李镰江，江宁，何刚，刘畅，
申请(专利权)人：西南科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51