使用高压退火的接缝弥合制造技术

本公开的各方面包括处理基板的方法。所述方法包括将共形层沉积在包含接缝的基板上。在存在氧化剂时使用高压退火来处理所述基板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用高压退火的接缝弥合
本公开的实施例总体上涉及集成电路制造方法，并且具体来说，涉及校正半导体器件中的接缝缺陷。
技术介绍
半导体器件的小型化持续需要增加形成器件的材料层的几何形状和布置的复杂性。其中，用材料适当地填充在半导体器件上形成的特征(诸如沟槽和过孔)由于特征的尺寸缩小而日益困难。通常通过沉积工艺来填充特征，所述沉积工艺诸如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、或电镀工艺之类，所述沉积工艺可以导致不是最优的特征填充。问题由特征上表面处的材料的累积产生。在完全且均匀地填充特征之前，在特征边缘处的这种材料的累积可以阻挡或以其他方式阻碍特征，从而导致在特征内形成空隙、接缝、以及不均匀结构。在较小几何形状的器件中使用的较小特征(诸如在数十纳米范围中的沟槽之类)必然具有与较大几何形状的器件相比较大的深宽比(即，特征高度与宽度的关系)，由此加剧了上文描述的沟槽和过孔填充的困难。常规方法利用多个循环的沉积和退火来尝试修复特征中的接缝和空腔。然而，这些常规方法导致极慢的处理时间。另外，这些方法可以破坏半导体器件的材料，并且导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理基板的方法，包括：/n将所述基板定位在处理腔室中，所述基板具有多个基板特征；/n在所述基板特征上沉积共形层，使得在相邻基板特征之间形成接缝；以及/n在存在氧化剂时，用在约1巴到约70巴的压力下执行的高压退火来处理所述基板，使得在所述共形层内的所述接缝的体积减小。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180124 US 62/621,4231.一种处理基板的方法，包括：
将所述基板定位在处理腔室中，所述基板具有多个基板特征；
在所述基板特征上沉积共形层，使得在相邻基板特征之间形成接缝；以及
在存在氧化剂时，用在约1巴到约70巴的压力下执行的高压退火来处理所述基板，使得在所述共形层内的所述接缝的体积减小。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化剂包括蒸汽。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述共形层包括硅层、金属层、金属氧化物层、或它们的组合。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个基板特征包括沟槽。


5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述多个基板特征上沉积共形层包括化学气相沉积。


6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述沉积所述共形层包括使前驱物流入所述处理腔室，其中所述前驱物包括硅和氢。


7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述共形层的体积在所述高压退火期间膨胀。


8.一种处理基板的方法，包括：
将所述基板定位在处理腔室中，所述基板具有多个基板特征；
在所述基板特征上沉积共形层，使得在相邻基板特征之间形成接缝，其中所述共形层的结构是结晶的；以及
在存...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一宏，程睿，P·曼纳，A·B·玛里克，江施施，巫勇，K·莱斯彻基什，S·冈迪科塔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US