金属互连结构的刻蚀方法技术

本申请公开了一种金属互连结构的刻蚀方法，包括：通过光刻工艺在第二硬掩模层的除目标区域以外的其它区域覆盖光阻，第二硬掩模层形成于第一硬掩模层上，第一硬掩模层形成于金属层上，金属层形成于介质层和形成于介质层中的金属连线上；对光阻进行修剪处理，使光阻被减薄；刻蚀去除目标区域的第二硬掩模层和第一硬掩模层，直至目标区域的金属层暴露；去除光阻。本申请通过在对金属互连结构的硬掩模层进行刻蚀之前，对光阻进行修剪处理，能够在后续的刻蚀的初始过程中降低了光阻的关键尺寸，同时能够减小光阻底部的尺寸，降低了光阻的侧壁的粗糙度，从而能够使后续的刻蚀后的结构具有较好的形貌，提高了器件的稳定性和制造良率。

【技术实现步骤摘要】
金属互连结构的刻蚀方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种金属互连结构的刻蚀方法。
技术介绍
半导体制造的后端(backendofline，BEOL)工序中通常采用大马士革工艺，该工艺是在介质层上刻蚀形成金属连线的沟槽后，填充金属，再对金属进行平坦化后，重复上述工艺直至形成金属互连结构。参考图1，其示出了相关技术中提供的金属互连结构的刻蚀过程中在硬掩模层上覆盖光阻的剖面示意图；参考图2，其示出了相关技术中提供的金属互连结构的刻蚀过程中对硬掩模层进行刻蚀后的剖面示意图。如图1所示，介质层110中形成有金属连线111，介质层110和金属连线111上依次形成有金属层120、第一硬掩模层130和第二硬掩模层140，通过光刻工艺在第二硬掩模层140上除目标区域以外的其它区域覆盖光阻101。如图2所示，依次对第二硬掩模层140和第一硬掩模层130进行刻蚀，使目标区域的金属层120暴露。如图2所示，通过相关技术中提供的刻蚀方法形成的结构(如图2中虚线所示)形貌较差，该结构的底部的宽度大于顶部的宽度，从而使后续的工序中有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属互连结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：/n通过光刻工艺在第二硬掩模层的除目标区域以外的其它区域覆盖光阻，所述第二硬掩模层形成于第一硬掩模层上，所述第一硬掩模层形成于金属层上，所述金属层形成于介质层和形成于介质层中的金属连线上；/n对所述光阻进行修剪处理，使所述光阻被减薄；/n刻蚀去除所述目标区域的第二硬掩模层和第一硬掩模层，直至所述目标区域的金属层暴露；/n去除所述光阻。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属互连结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：
通过光刻工艺在第二硬掩模层的除目标区域以外的其它区域覆盖光阻，所述第二硬掩模层形成于第一硬掩模层上，所述第一硬掩模层形成于金属层上，所述金属层形成于介质层和形成于介质层中的金属连线上；
对所述光阻进行修剪处理，使所述光阻被减薄；
刻蚀去除所述目标区域的第二硬掩模层和第一硬掩模层，直至所述目标区域的金属层暴露；
去除所述光阻。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层从下至上依次包括第一金属多层膜、铝层和第二金属多层膜。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属多层膜包括至少一层钛层和氮化钛层组成的复合层。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二金属多层膜包括至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：马莉娜，姚道州，肖培，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32