【技术实现步骤摘要】
图形化方法及其形成的半导体器件
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图形化方法及其形成的半导体器件。
技术介绍
在半导体器件制造的工艺中，通常利用光刻工艺将掩膜版上的图形转移到衬底上。光刻过程包括：提供衬底；在衬底上形成光刻胶；对所述光刻胶进行曝光和显影，形成图案化的光刻胶，使得掩膜版上的图案转移到光刻胶中；以图案化的光刻胶为掩膜对衬底进行刻蚀，使得光刻胶上的图案转印到衬底中；去除光刻胶。随着半导体器件尺寸的不断缩小，光刻关键尺寸逐渐接近甚至超出了光刻的物理极限，由此给光刻技术提出了更加严峻的挑战。双重构图技术的基本思想是通过两次构图形成最终的目标图案，以克服单次构图不能达到的光刻极限。然而，现有的图形化工艺的可靠性较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种图形化方法及其形成的半导体器件，以提高图形化方法的可靠性。为解决上述问题，本专利技术提供一种图形化方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相...
【技术保护点】
1.一种图形化方法，其特征在于，包括：/n提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接；/n在所述待刻蚀层的第一区和第二区上形成第一掩膜层；/n在第一区的第一掩膜层中形成若干沿第二方向分布的第一槽，第二方向与第一方向垂直，且相邻第一槽之间具有第一分割掺杂掩膜层，所述第一分割掺杂掩膜层内具有掺杂离子，且所述第一分割掺杂掩膜层沿第一方向贯穿第一区；/n在第一槽侧壁形成第一侧墙；/n在第二区的第一掩膜层中形成若干沿第二方向分布的第二槽，且相邻第二槽之间具有第二分割掺杂掩膜层，所述第二分割掺杂掩膜层内具...
【技术特征摘要】
1.一种图形化方法，其特征在于，包括：
提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接；
在所述待刻蚀层的第一区和第二区上形成第一掩膜层；
在第一区的第一掩膜层中形成若干沿第二方向分布的第一槽，第二方向与第一方向垂直，且相邻第一槽之间具有第一分割掺杂掩膜层，所述第一分割掺杂掩膜层内具有掺杂离子，且所述第一分割掺杂掩膜层沿第一方向贯穿第一区；
在第一槽侧壁形成第一侧墙；
在第二区的第一掩膜层中形成若干沿第二方向分布的第二槽，且相邻第二槽之间具有第二分割掺杂掩膜层，所述第二分割掺杂掩膜层内具有掺杂离子，且所述第二分割掺杂掩膜层沿第一方向贯穿第二区；
在第二槽侧壁形成第二侧墙；
形成第一侧墙、第二侧墙、第一分割掺杂掩膜层和第二分割掺杂掩膜层后，刻蚀去除第一区和第二区内的第一掩膜层。
2.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述掺杂离子包括：砷离子、硼离子、磷离子、镓离子或铟离子。
3.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括：多晶硅、二氧化硅、氮化硅、氧化钛或者氮化钛。
4.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为10nm～60nm。
5.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述第二侧墙的厚度为10nm～60nm。
6.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述第一区包括若干沿第二方向相间排布的第一子区和第二子区，第二方向与第一方向垂直，相邻的第一子区和第二子区邻接，所述第二区包括若干沿第二方向相间排布的第三子区和第四子区，相邻的第三子区和第四子区邻接；相邻第三子区之间具有第二子区和第一子区；所述第一槽位于第一子区；所述第一分割掺杂掩膜层位于第二子区；所述第二槽位于第三子区；所述第二分割掺杂掩膜层位于第四子区。
7.根据权利要求6所述的图形化方法，其特征在于，所述第一槽、第二槽、第一分割掺杂掩膜层和第二分割掺杂掩膜层的形成方法包括：刻蚀去除第一子区的第一掩膜层，形成第一槽；刻蚀去除第三子区的第一掩膜层，形成第二槽；在第二子区的部分第一掩膜层中掺杂离子，形成第一分割掺杂掩膜层；在第四子区的部分第一掩膜层中掺杂离子，形成第二分割掺杂掩膜层。
8.根据权利要求7所述的图形化方法，其特征在于，形成第一侧墙后，形成第二槽。
9.根据权利要求8所述的图形化方法，其特征在于，形成第一分割掺杂掩膜层和第二分割掺杂掩膜层后，形成第一槽。
10.根据权利要求7所述的图形化方法，其特征在于，形成第二侧墙后，形成第一分割掺杂掩膜层和第二分割掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：施维，胡友存，汤霞梅，熊鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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