温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种图形化方法及其形成的半导体器件，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括若干分立的第一区和第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接；在待刻蚀层上形成第一掩膜层；在第一区的第一掩膜层中形成若干沿第二方向分布的第一槽，第二...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。