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本申请公开了一种金属互连结构的刻蚀方法，包括：通过光刻工艺在第二硬掩模层的除目标区域以外的其它区域覆盖光阻，第二硬掩模层形成于第一硬掩模层上，第一硬掩模层形成于金属层上，金属层形成于介质层和形成于介质层中的金属连线上；对光阻进行修剪处理，使...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。