互连结构的制作方法及器件技术

本申请公开了一种互连结构的制作方法及器件，该器件包括：第一金属层，其包括铜；接触通孔，其形成于第一金属层上，其从内向外依次包括铝芯、粘附层和铜阻挡层；第二金属层，其形成于接触通孔上，第二金属层包括铝。本申请通过将器件的互连结构的上层金属层设置为铝，将接触通孔的内芯设置于为铝芯，将下层金属层设置为铜，由于铜具有较高的稳定性，从而提高了器件的稳定性；同时，将接触通孔的铝芯外设置铜阻挡层和铜粘附层，从而使接触通孔能够和铜制材料的下层金属形成稳定的电连接关系。

【技术实现步骤摘要】
互连结构的制作方法及器件
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种互连结构的制作方法及器件。
技术介绍
半导体制造的后端(backendofline，BEOL)工序中通常采用大马士革工艺，该工艺是在介质层上刻蚀形成金属连线的沟槽后，填充金属，再对金属进行平坦化后，重复上述工艺直至形成金属连线和介质层构成的互连结构。参考图1，其示出了相关技术中提供的互连结构的剖面示意图。如图1所示，该金属互连结构包括上层金属111、通孔120和下层金属112，其中，上层金属111和下层金属112的构成材料为铝(Al)。然而，由于金属铝的稳定性较差，因此相关技术中提供的互连结构的稳定性较差。
技术实现思路
本申请提供了一种金属互连结构及其形成方法，可以解决相关技术中提供的金属互连结构的制造成本较高的问题。一方面，本申请实施例提供了一种互连结构的制作方法，包括：在第一金属层上形成介质层，所述第一金属层包括铜；在介质层中形成通孔，所述通孔底部的第一金属层暴露；依次沉积形成铜阻挡层和粘附层；沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：/n在第一金属层上形成介质层，所述第一金属层包括铜；/n在介质层中形成通孔，所述通孔底部的第一金属层暴露；/n依次沉积形成铜阻挡层和粘附层；/n沉积形成铝层，所述铝层填充所述通孔形成铝芯；/n通过光刻工艺对所述铝层进行刻蚀，形成第二金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：
在第一金属层上形成介质层，所述第一金属层包括铜；
在介质层中形成通孔，所述通孔底部的第一金属层暴露；
依次沉积形成铜阻挡层和粘附层；
沉积形成铝层，所述铝层填充所述通孔形成铝芯；
通过光刻工艺对所述铝层进行刻蚀，形成第二金属层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粘附层包括钽。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述铜阻挡层包括氮化钽。


4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述沉积形成铝层，包括：
通过PVD工艺沉积形成所述铝层。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述PVD工艺的温度为300摄氏度至450摄氏度。


6.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述依...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑜，陈华伦，吴长明，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32