基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够抑制基板尺寸的缩小的基板处理装置以及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(10)具备：支承作为蚀刻对象的基板(W)的工作台(30)；相对于由工作台(30)支承的基板(W)相对移动，向由工作台(30)支承的基板(W)的外周端部(A1)，供给软化后的热塑性树脂的供给喷嘴(52)；及对由供给喷嘴(52)供给至基板(W)的外周端部(A1)的热塑性树脂进行加热的加热部(60)。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板处理方法
本专利技术的实施方式涉及基板处理装置及基板处理方法。
技术介绍
基板处理装置在半导体、液晶面板等的制造工序中使用，从均匀性、再现性的方面考虑，广泛使用在专用的处理室一张一张地处理基板的单片方式的基板处理装置。例如，作为半导体的制造工序，有层叠存储器器件制造工序，作为该制造工序中的层叠Si晶片的薄化工序，存在利用蚀刻液对基板的器件层上的Si层进行薄化的蚀刻工序，在该蚀刻工序中使用单片方式的基板处理装置。在前述的蚀刻工序中，蚀刻液被供给至基板的中央附近，通过基板旋转的离心力而从基板的外周流下。此时，基板的外周面(基板的外周的端面)也被蚀刻液浸蚀，基板的直径变短，基板尺寸变小(基板尺寸的缩小)的情况存在。若发生该基板尺寸的缩小，则在基板的外周部分不能得到期望尺寸的器件芯片，产生器件芯片损耗(从一片基板得到的期望尺寸的器件芯片数的减少)。另外，在后续工序中的利用机器人进行的搬送等中，以基板尺寸为基准进行搬送装置的设计、设定，因此，若基板尺寸小于容许值，则无法进行后续工序中的基板搬送。>
技术实现思路
...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，具备：/n支承作为蚀刻对象的基板的工作台；/n供给喷嘴，相对于由所述工作台支承的所述基板相对移动，向由所述工作台支承的所述基板的外周端部供给软化了的热塑性树脂；以及/n加热部，对由所述供给喷嘴供给至所述基板的外周端部的所述热塑性树脂进行加热。/n

【技术特征摘要】
20190318 JP 2019-050421;20190723 JP 2019-1353261.一种基板处理装置，具备：
支承作为蚀刻对象的基板的工作台；
供给喷嘴，相对于由所述工作台支承的所述基板相对移动，向由所述工作台支承的所述基板的外周端部供给软化了的热塑性树脂；以及
加热部，对由所述供给喷嘴供给至所述基板的外周端部的所述热塑性树脂进行加热。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述加热部从所述热塑性树脂与所述基板不接触的面侧对供给至所述基板的外周端部的所述热塑性树脂进行加热。


3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述加热部对所述基板进行加热，而对由所述供给喷嘴供给至所述基板的外周端部的所述热塑性树脂进行加热。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述供给喷嘴向由所述工作台支承的所述基板的外周面及由所述工作台支承的所述基板的上表面的外周区域中的任一方或双方供给所述热塑性树脂。


5.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述供给喷嘴对于由所述工作台支承的所述基板的上表面的外周区域，以沿所述基板的外周延伸并相互邻接的多个环状供给所述热塑性树脂，并且以供给至所述外周区域的多个环状的所述热塑性树脂按每个环在所述热塑性树脂相对于所述外周区域的附着开始点处重叠的方式供给所述热塑性树脂。


6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述供给喷嘴使供给至所述外周区域的环状的所述热塑性树脂的重叠部分相对于与该环状的所述热塑性树脂邻接的环状的...

【专利技术属性】
技术研发人员：根本悠平，林航之介，长岛裕次，秋本纱希，松下淳，
申请(专利权)人：芝浦机械电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP