【技术实现步骤摘要】
贴膜方法及贴膜机
本专利技术涉及贴膜领域,尤其涉及一种贴膜方法及贴膜机。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆等产品的生产过程中,需要对成品进行贴膜处理,也即将干膜贴附于晶圆等产品的表面,现有的贴膜方式的贴合效果较差,晶圆与干膜之间容易存在气泡。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种贴膜方法及贴膜机,旨在解决现有技术中,晶圆与干膜之间容易存在气泡的问题。为达此目的,本专利技术采用以下技术方案:贴膜方法,包括如下步骤:S100、将待贴膜产品放置于第二压膜台;S200、向待贴膜产品的正上方输送干膜;S300、第一压膜台向第二压膜台运动并与第二压膜台密封连接,且使得待贴膜产品位于第一压膜台与第二压膜台之间;S400、抽取第一压膜台与第二压膜台之间的空气;S500、压紧组件将待贴膜产品与干膜压紧贴合。进一步地,在 ...
【技术保护点】
1.贴膜方法,其特征在于,包括如下步骤:/nS100、将待贴膜产品放置于第二压膜台;/nS200、向待贴膜产品的正上方输送干膜;/nS300、第一压膜台向第二压膜台运动并与第二压膜台密封连接,且使得待贴膜产品位于第一压膜台与第二压膜台之间;/nS400、抽取第一压膜台与第二压膜台之间的空气;/nS500、将待贴膜产品与干膜压紧贴合。/n
【技术特征摘要】
1.贴膜方法,其特征在于,包括如下步骤:
S100、将待贴膜产品放置于第二压膜台;
S200、向待贴膜产品的正上方输送干膜;
S300、第一压膜台向第二压膜台运动并与第二压膜台密封连接,且使得待贴膜产品位于第一压膜台与第二压膜台之间;
S400、抽取第一压膜台与第二压膜台之间的空气;
S500、将待贴膜产品与干膜压紧贴合。
2.根据权利要求1所述的贴膜方法,其特征在于,在步骤S500之后,还包括以下步骤:
S600、第一压膜台远离第二压膜台;
S700、切除待贴膜产品的边界外的干膜。
3.根据权利要求2所述的贴膜方法,其特征在于,在步骤S700之后,还包括以下步骤:
S800、收取边界外的干膜被切除的待贴膜产品。
4.根据权利要求2所述的贴膜方法,其特征在于,在步骤S700之后,还包括以下步骤:
S900、收集被切除的干膜。
5.根据权利要求1所述的贴膜方法,其特征在于,在步骤S300与步骤S500之间,还包括以下步骤:
S350、对干膜进行加热;
S450、将第一压膜台锁紧固定。
6.根据权利要求5所述的贴膜方法,其特征在于,步骤S350具体为:第一压膜台内的第一加热组件和/或第二压膜台内的第二加热组件对干膜进行加热。
7.根据权利要求1-6任一项所述的贴膜方法,其特征在于,步骤S200具体包括以下步骤:
S201原料膜供应组件向...
【专利技术属性】
技术研发人员:王建勋,谢军,
申请(专利权)人:广东思沃精密机械有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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