半导体结构及其制造方法技术

本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底；N型掺杂区，位于衬底中；金属结构，位于衬底表面并包括中间部分与边缘部分，中间部分与N型掺杂区接触以形成肖特基二极管；第一P型阱区，位于N型掺杂区中与边缘部分接触，并将边缘部分与N型掺杂区隔开；以及第一P型接触区，位于第一P型阱区中，并与边缘部分隔开，其中，第一P型接触区的掺杂浓度高于第一P型阱区的掺杂浓度，在第一P型接触区接地的状态下，第一P型阱区用于接收肖特基二极管的阳极电压。该半导体结构在提高肖特基二极管的击穿电压、降低肖特基二极管的漏电流的前提下保持了肖特基二极管的低压降和高频特性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本申请涉及半导体器件制造领域，更具体地，涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode，SBD)具有开关频率高和正向压降低等优点，被广泛的应用在电子电路中。如图1所示，现有技术中的SBD包括由金属结构10与掺杂浓度较低的N型半导体20形成的肖特基结，其中，金属结构10的中间部分与N型半导体20之间形成的肖特基结呈平面，金属结构10的边缘部分与N型半导体20之间形成的肖特基结呈弧面。在对N型半导体20施加正压使得N型半导体20耗尽的情况下，由于金属结构10的边缘部分对应的肖特基结(耗尽层)具有一定曲率(可参考图1中的虚线)，从而导致此处的电场偏大，进而引起带间隧穿电流，使得SBD的反向漏电流增大。在电场偏大且持续增大的情况下，SBD会提前发生击穿，导致SBD的击穿电压偏低。因此，希望提供一种改进的半导体结构及其制造方法，以提高SBD的击穿电压、降低SBD的漏电流。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种改进的半导体结构及其制造方法，通过将肖特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n衬底；/nN型掺杂区，位于所述衬底中；/n金属结构，位于所述衬底表面并包括中间部分与边缘部分，所述中间部分与所述N型掺杂区接触以形成肖特基二极管；/n第一P型阱区，位于所述N型掺杂区中与所述边缘部分接触，并将所述边缘部分与所述N型掺杂区隔开；以及/n第一P型接触区，位于所述第一P型阱区中，并与所述边缘部分隔开，/n其中，所述第一P型接触区的掺杂浓度高于所述第一P型阱区的掺杂浓度，在所述第一P型接触区接地的状态下，所述第一P型阱区用于接收所述肖特基二极管的阳极电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
N型掺杂区，位于所述衬底中；
金属结构，位于所述衬底表面并包括中间部分与边缘部分，所述中间部分与所述N型掺杂区接触以形成肖特基二极管；
第一P型阱区，位于所述N型掺杂区中与所述边缘部分接触，并将所述边缘部分与所述N型掺杂区隔开；以及
第一P型接触区，位于所述第一P型阱区中，并与所述边缘部分隔开，
其中，所述第一P型接触区的掺杂浓度高于所述第一P型阱区的掺杂浓度，在所述第一P型接触区接地的状态下，所述第一P型阱区用于接收所述肖特基二极管的阳极电压。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
N型阱区，位于所述N型掺杂区中并与所述边缘部分隔开；以及
第一N型接触区，位于所述N型阱区中，所述第一N型接触区的掺杂浓度高于所述N型阱区的掺杂浓度，
其中，所述第一N型接触区用于接收所述肖特基二极管的阴极电压。


3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述N型阱区围绕所述第一P型阱区。


4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
第二P型阱区，位于所述衬底中；以及
第二P型接触区，位于所述第二P型阱区中并接地，
其中，所述衬底的掺杂类型为P型。


5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二P型阱区围绕所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩广涛，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33