【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
在现有的半导体领域中，传统的平面式的金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件，它一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁的栅极结构，以及位于栅极结构两侧的鳍部中的源漏掺杂区。与平面式的金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比，鳍式场效应晶体管具有更强的短沟道抑制能力，具有更强的工作电流，现已广泛应用于半导体各种器件中。随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸，以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，特别是当半导体器件尺寸降到纳米级别时，半导体器件的制备收到各种物理极限的限制。当半导体器件的尺寸降到纳米级别时，器件中栅极的沟道尺寸也相应缩小，鳍式场效应晶体管(FinF...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上具有伪栅极结构；/n在所述伪栅极结构两侧的衬底内分别形成第一开口和第二开口，且所述第一开口和第二开口之间的衬底形成沟道区；在所述伪栅极结构侧壁和沟道区的侧壁表面形成第一侧墙；/n在形成第一侧墙之后，在所述第一开口底部表面形成第一外延层，在所述第二开口底部表面形成第二外延层；/n在形成第一外延层和第二外延层后，去除所述第一侧墙，在伪栅极结构和第一外延层之间形成第三开口，在伪栅极结构和第二外延层之间形成第四开口；/n在所述第一外延层上和第三开口内形成第三外延层，所述第三外延层离子浓度小于第一外延层离子浓度；...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上具有伪栅极结构；
在所述伪栅极结构两侧的衬底内分别形成第一开口和第二开口，且所述第一开口和第二开口之间的衬底形成沟道区；在所述伪栅极结构侧壁和沟道区的侧壁表面形成第一侧墙；
在形成第一侧墙之后，在所述第一开口底部表面形成第一外延层，在所述第二开口底部表面形成第二外延层；
在形成第一外延层和第二外延层后，去除所述第一侧墙，在伪栅极结构和第一外延层之间形成第三开口，在伪栅极结构和第二外延层之间形成第四开口；
在所述第一外延层上和第三开口内形成第三外延层，所述第三外延层离子浓度小于第一外延层离子浓度；
在所述第二外延层上和第四开口内形成第四外延层，所述第四外延层离子浓度小于第二外延层离子浓度。
2.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙的方法包括：在所述衬底上沉积第一侧墙材料层，所述第一侧墙材料层位于所述伪栅极结构侧壁和顶部、第一开口侧壁和底部、以及第二开口的底部和侧壁；回刻蚀所述第一侧墙材料层，直至暴露出所述衬底，形成所述第一侧墙。
3.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括氧化硅、氮化硅、氮碳化硅及硅锗氮。
4.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为2nm～5nm。
5.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，去除所述第一侧墙的工艺包括干法刻蚀工艺。
6.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第一外延层和第二外延层同时形成；形成所述第一外延层和第二外延层的工艺包括：外延生长工艺。
7.如权利要求6所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述外延生长工艺参数包括：气体为SiH4和GeH4、或SiH4和PH3，所述气体离子浓度范围为：8e20/立方厘米～2e21/立方厘米。
8.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成所述第三外延层的方法包括：在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出所述第三开口和第一外延层表面；在第一外延层上和第三开口内形成第三外延层；所述第三外延层形成工艺包括：外延生长工艺。
9.如权利要求8所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述外延生长工艺参数包括：气体为SiH4和GeH4、或SiH4和PH3，所述气体离子浓度范围为：8e20/立方厘米～1.2e21/立方厘米。
10.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成所述第四外延层的方法包括：在所述衬底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出所述第四开口和第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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