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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底上具有伪栅极结构；在伪栅极结构两侧的衬底内形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口之间的衬底形成沟道区；在伪栅极结构和沟道区的侧壁形成第一侧墙；形成第一侧墙后，在第一开口底部表面形成第一...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。