半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Al

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法本申请以日本专利申请2019-046606(申请日2019年3月14日)为基础，从本申请享受优先权。本申请通过参照本申请，从而包含该申请的全部内容。
本专利技术的实施方式一般而言涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
例如有使用了氮化物半导体的半导体装置。在半导体装置中，期望特性的提高。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据本专利技术的实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Alx1Ga1-x1N(0≤x1<1)。所述第1氮化物区域包括第1部分区域、第2部分区域、所述第1部分区域与所述第2部分区域之间的第3部分区域、所述第1部分区域与所述第3部分区域之间的第4部分区域、以及所述第3部分区域与所述第2部分区域之间的第5部分区域。从所述第1部分区域向所述第1电极的第1方向与从所述第1电极向所述第2电极的第2方向交叉。从所述第2部分区域向所述第2电极的方向沿着所述第1方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n第1电极；/n第2电极；/n第1氮化物区域，包含Al

【技术特征摘要】
20190314 JP 2019-0466061.一种半导体装置，具备：
第1电极；
第2电极；
第1氮化物区域，包含Alx1Ga1-x1N，其中0≤x1<1，所述第1氮化物区域包括第1部分区域、第2部分区域、所述第1部分区域与所述第2部分区域之间的第3部分区域、所述第1部分区域与所述第3部分区域之间的第4部分区域、以及所述第3部分区域与所述第2部分区域之间的第5部分区域，从所述第1部分区域向所述第1电极的第1方向与从所述第1电极向所述第2电极的第2方向交叉，从所述第2部分区域向所述第2电极的方向沿着所述第1方向；
第2氮化物区域，包含Alx2Ga1-x2N，其中0<x2≤1，x1<x2，所述第2氮化物区域包括第6部分区域以及第7部分区域，从所述第4部分区域向所述第6部分区域的方向沿着所述第1方向，从所述第5部分区域向所述第7部分区域的方向沿着所述第1方向；
第3电极，从所述第3部分区域向所述第3电极的方向沿着所述第1方向，所述第3电极的至少一部分在所述第2方向上处于所述第6部分区域与所述第7部分区域之间；
第1绝缘膜，包括第1绝缘区域以及第2绝缘区域，包含硅和氮；
第3氮化物区域，包含Alx3Ga1-x3N，其中0<x3≤1，x1<x3，所述第3氮化物区域包括第1～第7部分，所述第1部分处于所述第3电极与所述第3部分区域之间，所述第2部分处于所述第3电极与所述第4部分区域之间，所述第3部分处于所述第3电极与所述第5部分区域之间，所述第4部分处于所述第3电极与所述第6部分区域之间，所述第5部分处于所述第3电极与所述第7部分区域之间，所述第1绝缘区域处于所述第6部分与所述第6部分区域之间，所述第2绝缘区域处于所述第7部分与所述第7部分区域之间；以及
第2绝缘膜，包含硅和氧，所述第2绝缘膜包括第3～7绝缘区域，所述第3绝缘区域处于所述第1部分与所述第3电极之间，所述第4绝缘区域处于所述第4部分与所述第3电极之间，所述第5绝缘区域处于所述第5部分与所述第3电极之间，所述第6部分处于所述第6绝缘区域与所述第1绝缘区域之间，所述第7部分处于所述第7绝缘区域与所述第2绝缘区域之间。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1部分的结晶性比所述第6部分的结晶性高。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1部分的至少一部分包含结晶，
所述第6部分的至少一部分为非晶态...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤大望，梶原瑛祐，向井章，新留彩，大野浩志，蔵口雅彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP