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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:25713087
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提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式,半导体装置包括第1~第3电极、第1~第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Al...
该专利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社授权不得商用。
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