【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
关于半导体装置提出了如下结构(例如专利文献1及2)，即，在单元区域和末端区域之间，具有与单元区域的末端区域侧部分相比杂质浓度低的杂质层。根据具有这样的杂质层的结构，能够对在恢复中的半导体装置内的阳极及阴极之间的部分施加正电压进行抑制。因此，能够对恢复中的单元区域的末端区域侧部分所产生的电流集中、乃至发热进行抑制。专利文献1：日本特开2000-150859号公报专利文献2：日本特开2013-125928号公报但是，如果追加上述那样的杂质层，则存在需要新的掩模及新的工序，制造成本变高这样的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制半导体装置的制造成本的技术。本专利技术涉及的半导体装置具有：第1导电型的半导体衬底，其规定有单元区域、包围所述单元区域的界面区域、以及包围所述界面区域的末端区域；以及绝缘膜，其配置于所述半导体衬底的表面之上，所述绝缘膜在所...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：/n第1导电型的半导体衬底，其规定有单元区域、包围所述单元区域的界面区域、以及包围所述界面区域的末端区域；以及/n绝缘膜，其配置于所述半导体衬底的表面之上，/n所述绝缘膜在所述单元区域及所述末端区域的至少一者具有第1开口部，并且在所述界面区域具有与所述第1开口部相比开口率低的第2开口部，/n该半导体装置还具有：/n第2导电型的第1杂质层，其配置于所述半导体衬底中的所述第1开口部之下的所述表面；以及/n第2导电型的第2杂质层，其配置于所述半导体衬底中的所述第2开口部之下的所述表面，与所述第1杂质层相比杂质浓度低。/n
【技术特征摘要】
20190312 JP 2019-0443861.一种半导体装置，其具有：
第1导电型的半导体衬底，其规定有单元区域、包围所述单元区域的界面区域、以及包围所述界面区域的末端区域；以及
绝缘膜，其配置于所述半导体衬底的表面之上，
所述绝缘膜在所述单元区域及所述末端区域的至少一者具有第1开口部，并且在所述界面区域具有与所述第1开口部相比开口率低的第2开口部，
该半导体装置还具有：
第2导电型的第1杂质层，其配置于所述半导体衬底中的所述第1开口部之下的所述表面；以及
第2导电型的第2杂质层，其配置于所述半导体衬底中的所述第2开口部之下的所述表面，与所述第1杂质层相比杂质浓度低。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1杂质层包含：阳极层，其配置于所述单元区域的所述第1开口部之下；以及保护环层，其配置于所述末端区域的所述第1开口部之下，
所述第2杂质层包含遍及多个所述第2开口部各自之下而配置的镇流电阻层。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其还具有：
导电膜，其配置于所述绝缘膜之上，经由所述第1开口部与所述第1杂质层连接；以及
半绝缘膜，其与所述导电膜连接，并且经由所述第2开口部与所述第2杂质层连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述第2杂质层的所述半导体衬底的所述表面处的浓度比所述第1杂质层的所述半导体衬底的所述表面处的...
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