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本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底；N型掺杂区，位于衬底中；金属结构，位于衬底表面并包括中间部分与边缘部分，中间部分与N型掺杂区接触以形成肖特基二极管；第一P型阱区，位于N型掺杂区中与边缘部分接触，并将边缘部分与...
该专利属于杰华特微电子(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰华特微电子(杭州)有限公司授权不得商用。

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