含有次氯酸根离子的半导体晶圆的处理液制造技术

本发明专利技术的课题在于提供一种用于去除附着于半导体晶圆的端面部、背面部的钌和钨的处理液以及清洗方法。本发明专利技术的技术方案是一种处理液，其是用于清洗半导体晶圆的处理液，所述处理液含有(A)次氯酸根离子和(C)溶剂，所述处理液的25℃下的pH大于7且小于12.0。本发明专利技术提供一种通过使该处理液与具有钌或者钨的半导体晶圆接触来从半导体晶圆中去除钌、钨从而清洗半导体晶圆的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含有次氯酸根离子的半导体晶圆的处理液
本专利技术涉及一种在半导体元件的制造工序中使用的、清洗半导体晶圆的端面部、背面部的新型处理液。
技术介绍
近年来，半导体元件的设计规则(designrule)的微细化不断发展，对半导体元件制造工序中的杂质管理的要求越来越严格。在半导体元件的制造工序中产生的杂质按每个制造工序而不同。因此，按每个制造工序来确定污染源，进而对成为该污染源的杂质的浓度进行管理是重要的。特别是，金属、金属氧化物等杂质滞留在制造装置内，因此不将金属、金属氧化物带入下一工序是重要的。另外，近年来，为了提高半导体元件的制造效率，使用了超过300mm的大口径的半导体晶圆。在大口径的半导体晶圆中，不供电子设备制作的端面部、背面部的面积大于小口径的半导体晶圆。因此，在形成金属布线的工序、形成阻挡金属的工序中，不仅在形成半导体元件的半导体晶圆表面的元件形成部容易附着金属布线材料、阻挡金属材料(以下，有时也统称为“金属材料等”)，而且在端面部、背面部等也容易附着。其结果是，随着半导体晶圆的口径增大，附着于晶圆的端面部、背面部的多余的金属材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理液，其是用于清洗半导体晶圆的处理液，/n所述处理液含有：/n(A)次氯酸根离子；以及/n(C)溶剂，/n所述处理液的25℃下的pH大于7且小于12.0。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180116 JP 2018-005201;20180116 JP 2018-005202;201.一种处理液，其是用于清洗半导体晶圆的处理液，
所述处理液含有：
(A)次氯酸根离子；以及
(C)溶剂，
所述处理液的25℃下的pH大于7且小于12.0。


2.一种处理液，其是用于清洗半导体晶圆的处理液，
所述处理液含有：
(A)次氯酸根离子；
(B1)烷基铵离子；以及
(C)溶剂，
所述处理液的25℃下的pH大于7且小于12.0。


3.一种处理液，其是用于清洗半导体晶圆的处理液，
所述处理液含有：
(A)次氯酸根离子；
(B2)选自碱金属离子和碱土金属离子中的至少一种金属离子；以及
(C)溶剂，
所述(B2)金属离子的浓度按质量基准计为1ppm以上且20000ppm以下，所述处理液的25℃下的pH大于7且小于12.0。


4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：下田享史，根岸贵幸，吉川由树，东野诚司，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：日本;JP