用于3D打印的CMP垫的压电终点指示制造技术

本文描述的实施方式涉及使用嵌入在抛光垫的抛光材料中的一个或多个传感器来检测抛光终点的方法、抛光垫和形成抛光垫的方法。在一个实施方式中，抛光基板的方法包括以下步骤：对着抛光垫的抛光表面(抛光垫具有嵌入在抛光垫的抛光垫材料中的一个或多个传感器，其中抛光垫安装在抛光系统的抛光工作台上)推动基板的待抛光表面、使用一个或多个传感器检测对着抛光垫的抛光表面施加的力、将检测到的力转换成信号信息、将从一个或多个传感器接收的信号信息无线地传送到一个或多个设置在抛光工作台中的询问器，和基于信号信息改变一个或多个抛光条件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于3D打印的CMP垫的压电终点指示背景领域本文描述的实施方式大体上涉及电子装置制造工艺中的基板的化学机械平面化(CMP)；更具体来说，涉及具有设置和/或嵌入在抛光垫中的传感器的抛光垫、形成抛光垫的方法和使用抛光垫以在基板的化学机械平面化期间检测抛光终点的方法。相关技术的说明化学机械抛光(CMP)通常用于制造高密度集成电路，以通过使待平面化的材料层与安装在抛光工作台上的抛光垫接触，并且在存在抛光液和研磨颗粒的情况下，使抛光垫和/或基板(并且因此使在基板上的材料层表面)移动，来平面化或抛光沉积在基板上的材料层。CMP的两个常见应用是体膜(bulkfilm)的平面化(例如金属前电介质(PMD)或层间电介质(ILD)抛光，其中下面的特征在层表面中产生凹陷和突起)，和浅槽隔离(STI)与层间金属互连抛光(其中抛光用于从具有延伸到层中的特征的层的暴露表面(场(field))移除过孔、触点或沟槽填充材料)。例如，在层间金属互连抛光中，沉积在介电膜层中的开口中的金属导体(诸如钨(W)或铜(Cu))也沉积在介电膜层的场表面上，并且场上的金属必须在可在场上方形成下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光基板的方法，包括以下步骤：/n对着抛光垫的抛光表面推动基板，所述抛光垫具有嵌入在所述抛光垫的抛光垫材料中的一个或多个传感器，其中所述抛光垫安装在抛光系统的抛光工作台上；/n使用所述一个或多个传感器来检测对着所述抛光垫的所述抛光表面施加的力；/n将检测到的所述力转换为信号信息；/n将从所述一个或多个传感器接收的所述信号信息无线传送至设置在所述抛光工作台中的一个或多个询问器；和/n基于所述信号信息来改变一个或多个抛光条件。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180205 US 62/626,4611.一种抛光基板的方法，包括以下步骤：
对着抛光垫的抛光表面推动基板，所述抛光垫具有嵌入在所述抛光垫的抛光垫材料中的一个或多个传感器，其中所述抛光垫安装在抛光系统的抛光工作台上；
使用所述一个或多个传感器来检测对着所述抛光垫的所述抛光表面施加的力；
将检测到的所述力转换为信号信息；
将从所述一个或多个传感器接收的所述信号信息无线传送至设置在所述抛光工作台中的一个或多个询问器；和
基于所述信号信息来改变一个或多个抛光条件。


2.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个传感器是动态力传感器。


3.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个传感器是压电传感器、压阻传感器、微机电(MEMS)传感器或上述传感器的组合。


4.如权利要求3所述的方法，其中所述一个或多个传感器是压电传感器。


5.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包括图案化介电层，所述图案化介电层具有形成在所述图案化介电层中的复数个金属特征和设置在所述图案化介电层上的金属层。


6.如权利要求5所述的方法，其中所述抛光系统所述一个或多个询问器通信耦合至所述抛光系统的控制器。


7.如权利要求1所述的方法，其中改变一个或多个抛光条件的步骤包括以下操作：改变抛光液成分、改变抛光液分布、改变抛光液流率、改变所述抛光工作台的旋转速度、改变具有设置在基板载体中的所述基板的所述基板载体的旋转速度、改变垫调节参数、结束基板抛光序列，或上述操作的组合。


8.一种抛光垫，包括：
子抛光元件；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：文卡特·哈里哈兰，拉杰夫·巴贾，丹尼尔·雷德菲尔德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US