药液、基板的处理方法技术

本发明专利技术提供一种具有对过渡金属含有物的优异的溶解能力，而且能够实现被处理部的优异的平滑度的药液及使用了所述药液的处理方法。本发明专利技术的药液是为了去除基板上的过渡金属含有物而使用的药液，包含高碘酸类和包含选自由IO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】药液、基板的处理方法
本专利技术有关一种药液及基板的处理方法。
技术介绍
在进行半导体产品的微细化的过程中，对高效率且高精度地实施半导体产品制造工序中，去除基板上的无用的过渡金属含有物的工序的需求逐渐提高。专利文献1中记载有“一种基板处理方法，其特征为，包括去除工序，该去除工序对形成有含钌膜的基板，通过去除液而去除在基板的形成有含钌膜的表面的外缘部和/或背面附着的钌附着物，去除液相对于去除液的总质量而包含0.05～8质量％的原高碘酸，去除液的pH为3.5以下(权利要求1)”。以往技术文献专利文献[专利文献1]日本特开2016-092101号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题另一方面，近年来，当去除基板上的无用的过渡金属含有物时，也要求减小被处理部的粗糙度(表面凹凸)。若被处理部的粗糙度大，则会导致层叠于被处理部上的层叠物的层叠性变差、以及半导体产品本身的性能劣化。本专利技术人等使用在专利文献1中公开的方法对过渡金属含有物的去除性能进行研究的结果，兼备过渡金属含有物的溶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种药液，为了去除基板上的过渡金属含有物而使用，/n所述药液包含：/n高碘酸类，选自由高碘酸及其盐构成的组中的1种以上；及/n化合物，包含选自由IO

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180112 JP 2018-0034711.一种药液，为了去除基板上的过渡金属含有物而使用，
所述药液包含：
高碘酸类，选自由高碘酸及其盐构成的组中的1种以上；及
化合物，包含选自由IO3-、I-及I3-构成的组中的1种以上的阴离子，
包含所述阴离子的化合物的含量相对于所述药液总质量为5质量ppb～1质量％。


2.根据权利要求1所述的药液，其中，
所述高碘酸类包含选自由原高碘酸、原高碘酸盐、偏高碘酸及偏高碘酸盐构成的组中的至少1种。


3.根据权利要求1或2所述的药液，其中，
所述高碘酸类的含量相对于所述药液总质量为37.0质量％以下。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的药液，其中，
所述高碘酸类的含量相对于所述药液总质量为2.0质量％～8.0质量％。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的药液，其中，
所述高碘酸类的含量与包含所述阴离子的化合物的含量之比为1×100～1×108。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的药液，其中，
包含所述阴离子的化合物包含选自由碘酸、四甲基碘酸铵、四乙基碘酸铵、四丁基碘酸铵、碘酸铵、碘化氢、四甲基碘化铵、四乙基碘化铵、四丁基碘化铵、碘化铵及三碘化氮构成的组中的至少1种。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的药液，其中，
包含所述阴离子的化合物包含选自由氢阳离子、四甲基铵阳离子、四乙基铵阳离子及四丁基铵阳离子构成的组中的阳离子。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的药液，其中，
所述过渡金属含有物包含选自由Ru、Ti、Ta、Co、Cr、Hf、Os、Pt、Ni、Mn、Cu、Zr、Mo、La、W及Ir构成的组中的至少1种。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的药液，其中，
所述过渡金属含有物包含Ru含有物。


10.根据权利要求1至9中任一项所述的药液，其还包含pH调整剂。


11.根据权利要求10所述的药液，其中，
所述pH调整剂包含选自由四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、氨水、水溶性胺、硫酸、盐酸、醋酸、硝酸、氢氟酸、高氯酸及次氯酸构成的组中的至少1种。


12.根据权利要求10或11所述的药液，其中，
所述pH调整剂包含选自由四甲基氢氧化铵...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥智威，杉村宣明，关裕之，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP