【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及半导体级材料的生产。更具体地说，本专利技术针对一种通过定期取样和分析而用于监测一种如用于单晶硅生长的拉晶机内的气态环境的方法。这种方法能使生长过程的开始或起动更有效地自动化。此外，所述方法能早期检测生长过程状况(条件)的变化，这种变化由例如拉晶机内真空完整性的损失或拉晶机内部件的老化或分解造成。
技术介绍
半导体材料，如用于微电子电路制造的单晶硅，通常是用直拉法(Cz法)制备。在这种方法中，例如单晶硅锭是通过下述步骤在拉晶机的晶体生长炉室内生产将装入熔结石英坩埚内的多晶硅装料熔化，将一个籽晶浸入熔化的硅中，提拉籽晶以便开始单晶生长(亦即形成晶颈、晶冠、凸肩等)，及在各生产条件下生长单晶主体，上述生产条件被控制以使由单晶锭得到的晶片的性能特点达到最大。由于集成电路制造厂家对由这些晶锭得到的硅晶片不断提出更严格的限制，所以特别重要的是使在晶锭生长期间拉晶机内的状况不在合格范围或界限内的情况减至最小。工艺(过程)控制也很重要，因为这种“超出工艺”的生长条件可能并且的确降低了所生产的单晶硅质量，降低质量反过来又减少了方法的生产率和总的方法效率及经济效...
【技术保护点】
一种用于监测拉晶炉中气态环境的方法，所述拉晶炉用于在保持负压的生长室中的半导体材料锭的生长，所述方法包括：密封生长室；将密封室内的压力减少到负压水平；将一种处理气体引入生长室中，以便清洗生长室并在生长室内形成一个气态环境；及， 对气态环境进行超过处理气体中污染气体浓度的污染气体方面的分析。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：JD霍尔德，SK麦夸尔，MJ伯格，
申请(专利权)人：MEMC电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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