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高纯气(或电子气)中痕量气态杂质分析方法和装置制造方法及图纸

技术编号:3749344 阅读:193 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及高纯气(或电子气)中痕量气态杂质分析方法和装置。1、传统制冷方法只能测定到-60--70℃。本发明专利技术采用的浸渍制冷方法和降低镜面的降温速率,以增加“结露”的灵敏度。具有测试灵敏度高、消耗液氮低和制造的露点测试仪器成本低的特点。最低能测试到露点为-120--130℃(<0.00013PPM)。方法适用于电子气中有害杂质水的分析。2、常规的气相色谱方法所用的检测器,其分析灵敏度一般只有几十PPM-0.1PPM。本发明专利技术采用的浓缩取样方法于气相色谱分析中,对信息技术领域的硅烷等电子气中有害杂质氧、碳等化合物进行分析。一般测试的灵敏度达到0.1-0.0001PPM。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种与传统制冷方法不同的测试高纯气体中痕量水的露点分析方法。其特征在于用液氮浸渍,冷却传冷捧,最终使镜面冷却的制冷方法。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:尹恩华
申请(专利权)人:尹恩华
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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