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本发明涉及一种用于监测密封式拉晶炉内气态环境的方法，所述密封式拉晶炉用于在保持负压的生长室中的半导体材料锭的生长。该方法包括：密封生长室，将密封室内的压力减少到负压水平，将一种处理气体引入生长室以便清洗生长室并在生长室内形成一个气态环境，以...
该专利属于MEMC电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过MEMC电子材料有限公司授权不得商用。

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