【技术实现步骤摘要】
包括混合布线接合结构的层叠封装件
本公开总体上涉及半导体封装技术,并且更具体地,涉及包括混合布线接合结构的层叠封装件。
技术介绍
随着小型电子装置的发展,对移动系统的需求日益增加,已经不断地开发出高性能和大容量的半导体封装件。例如,已经开发出具有高密度和多通道特性的存储器半导体封装件。也就是说,已将大量精力集中在增加单个半导体封装件中所嵌入的半导体芯片的数量上。为了增加嵌入在单个半导体封装件中的半导体芯片的数量,已经提出了用于在封装基板上垂直层叠多个半导体芯片的技术来提供层叠封装件。在这种情况下,已经使用布线接合技术或硅通孔(TSV)技术将多个层叠的半导体芯片电连接到封装基板。近来,已经开发了各种先进技术来改善用于将多个层叠的半导体芯片电连接到封装基板的互连结构。
技术实现思路
根据一个实施方式,一种层叠封装件可以包括第一子芯片层叠物、第二子芯片层叠物和接合布线。第一子芯片层叠物可以设置在封装基板上,并且第二子芯片层叠物可以层叠在第一子芯片层叠物上以相对于第一子芯片层叠物横向偏移。接合布线可以将第 ...
【技术保护点】
1.一种层叠封装件,该层叠封装件包括:/n第一子芯片层叠物,该第一子芯片层叠物被设置在封装基板上;/n第二子芯片层叠物,该第二子芯片层叠物层叠在所述第一子芯片层叠物上以相对于所述第一子芯片层叠物横向偏移;以及/n接合布线,所述接合布线将所述第一子芯片层叠物电连接到所述封装基板,/n其中,所述第一子芯片层叠物包括:/n第一子芯片,该第一子芯片具有其上设置有第一分立焊盘和第一公共焊盘的第一表面;以及/n第二子芯片,该第二子芯片具有接合到所述第一表面的第三表面,/n其中,第二子芯片包括:/n第二分立焊盘和第二公共焊盘,该第二分立焊盘和该第二公共焊盘被设置在所述第三表面上;以及/n ...
【技术特征摘要】
20190306 KR 10-2019-00255851.一种层叠封装件,该层叠封装件包括:
第一子芯片层叠物,该第一子芯片层叠物被设置在封装基板上;
第二子芯片层叠物,该第二子芯片层叠物层叠在所述第一子芯片层叠物上以相对于所述第一子芯片层叠物横向偏移;以及
接合布线,所述接合布线将所述第一子芯片层叠物电连接到所述封装基板,
其中,所述第一子芯片层叠物包括:
第一子芯片,该第一子芯片具有其上设置有第一分立焊盘和第一公共焊盘的第一表面;以及
第二子芯片,该第二子芯片具有接合到所述第一表面的第三表面,
其中,第二子芯片包括:
第二分立焊盘和第二公共焊盘,该第二分立焊盘和该第二公共焊盘被设置在所述第三表面上;以及
通孔,所述通孔从所述第二子芯片的与所述第一子芯片相对的第四表面延伸以使所述第一分立焊盘、所述第二分立焊盘和所述第二公共焊盘露出,
其中,所述第二公共焊盘接合到所述第一公共焊盘,并且
其中,所述接合布线经由所述通孔接合到所述第一分立焊盘、所述第二分立焊盘和所述第二公共焊盘中的各个焊盘。
2.根据权利要求1所述的层叠封装件,其中,所述第二子芯片与所述第一子芯片完全交叠并接合至所述第一子芯片。
3.根据权利要求1所述的层叠封装件,其中,所述第一分立焊盘被设置为与所述第二分立焊盘间隔开,以防止所述第一分立焊盘与所述第二分立焊盘垂直交叠。
4.根据权利要求1所述的层叠封装件,其中,所述第一分立焊盘和所述第二分立焊盘分别位于所述第一公共焊盘的相对两侧。
5.根据权利要求1所述的层叠封装件,其中,所述第一公共焊盘被设置为与所述第二公共焊盘交叠。
6.根据权利要求1所述的层叠封装件,
其中,所述通孔从所述第二子芯片的所述第四表面延伸至所述第二子芯片的所述第三表面;并且
其中,所述通孔包括:
第一通孔,该第一通孔使所述第一子芯片的所述第一分立焊盘露出;
第二通孔,该第二通孔贯穿所述第二子芯片以使所述第二分立焊盘露出;以及
第三通孔,该第三通孔贯穿所述第二子芯片以使所述第二公共焊盘的与所述第一公共焊盘相对的背侧表面露出。
7.根据权利要求6所述的层叠封装件,其中,所述第一通孔比所述第三通孔深。
8.根据权利要求6所述的层叠封装件,其中,所述接合布线包括:
第一接合布线,该第一接合布线被配置为经由所述第一通孔接合至所述第一分立焊盘,并且被配置为将所述第一分立焊盘电连接至所述封装基板的第一接合指;
第二接合布线,该第二接合布线被配置为经由所述第二通孔接合至所述第二分立焊盘,并且被配置为将所述第二分立焊盘电连接至所述封装基板的第二接合指;以及
第三接合布线,该第三接合布线被配置为经由所述第三通孔接合至所述第二公共焊盘,并且被配置为将所述第一公共焊盘和所述第二公共焊盘电连接至所述封装基板的第三接合指。
9.根据权利要求8所述的层叠封装件,该层叠封装件还包括:第四接合布线,该第四接合布线的一端接合至所述第二公共焊盘以电连接至所述第三接合布线,并且另一端电连接至所述第二子芯片层叠物。
10.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:李南宰,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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