一种半导体器件及其制作方法技术

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。本申请提供的半导体器件包括半导体基板、图案化的第一金属层和多个金属凸块，其中，半导体基板的第一表面具有多个导电焊盘，第一金属层仅设置于多个导电焊盘处，金属凸块与导电焊盘一一对应，其中，多个金属凸块的高度不完全相同。当本申请半导体器件连接引脚时，引脚与金属凸块一一连接，由于金属凸块的高度不同，相比于相同高度的金属凸块，引脚之间的间距被拉长，从而在满足COF封装技术中对引脚之间间距的限定的前提下，可以将金属凸块之间的间距缩小，进而能够缩小半导体基板的尺寸，或者增加引脚的数量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法
本申请涉及半导体
，特别是涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
在半导体
，卷带式覆晶薄膜封装COF是一种应用广泛的IC封装技术。COF具体是运用软性基板电路作为封装芯片的载体，通过热压合将芯片上的金属凸块与软性基板电路上的引脚进行接合的技术。为了保证器件的性能，软性基板电路上的引脚之间必须保持一定的间距，这就限定了芯片上的金属凸块之间的间距。因此需要开发一种半导体器件，能够使金属凸块之间的间距进一步缩小，从而能够缩小半导体基板的尺寸，或者增加引脚的数量。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种半导体器件及其制作方法，能够缩小金属凸块之间的间距，从而缩小半导体基板的尺寸，或者增加引脚的数量。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体器件，包括：半导体基板，所述半导体基板的第一表面具有多个导电焊盘；图案化的第一金属层，所述第一金属层仅设置于所述导电焊盘位置处；多个金属凸块，设置于所述第一金属层远离所述半导体基板的一侧表面，且与所述导电焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n半导体基板，所述半导体基板的第一表面具有多个导电焊盘；/n图案化的第一金属层，所述第一金属层仅设置于所述导电焊盘位置处；/n多个金属凸块，设置于所述第一金属层远离所述半导体基板的一侧表面，且与所述导电焊盘一一对应；其中，所述多个金属凸块的高度不完全相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体基板，所述半导体基板的第一表面具有多个导电焊盘；
图案化的第一金属层，所述第一金属层仅设置于所述导电焊盘位置处；
多个金属凸块，设置于所述第一金属层远离所述半导体基板的一侧表面，且与所述导电焊盘一一对应；其中，所述多个金属凸块的高度不完全相同。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一金属层上设置有第一高度和第二高度的所述金属凸块，所述第一高度大于所述第二高度，且所述第一高度的所述金属凸块和所述第二高度的所述金属凸块在所述半导体基板的其中一个侧面上的正投影依次交替设置。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一高度的所述金属凸块与所述第二高度的所述金属凸块相互错位设置。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
具有相同高度的所述金属凸块位于同一列。


5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
具有所述第二高度的所述金属凸块包括第一子金属凸块，具有所述第一高度的所述金属凸块包括依次层叠设置的所述第一子金属凸块和第二子金属凸块，且所述第二子金属凸块在所述半导体基板上的正投影的尺寸小于所述第一子金属凸块在所述半导体基板上的正投影的尺寸。


6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
多个引脚，分别与所述金属凸块电连接，且所述第一高度和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈运生，张雷，
申请(专利权)人：厦门通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35